[发明专利]酚醛树脂为碳源的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法无效
| 申请号: | 200910247865.7 | 申请日: | 2009-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN102115330A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
| 发明(设计)人: | 黄政仁;陈健;刘学建;陈忠明;袁明;闫永杰;刘岩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/622 |
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| 地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 酚醛树脂 碳源 烧结 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及酚醛树脂为碳源的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法,属于SiC陶瓷领域。
背景技术
SiC陶瓷以其优异的高温稳定性、耐磨性、高的热导率而广泛应用于工业生产中。其中固相烧结的SiC陶瓷由于烧结助剂含量很低,晶界处不会残留较低熔点的物质,其物理化学性能具有高温稳定性,因此固相烧结的SiC陶瓷具有特殊的应用价值。固相烧结SiC陶瓷主要以C和B为烧结助剂,在以前的研究中,烧结助剂C是以C黑和酚醛树脂同时引入,其不利于工业产生,因此本专利通过完全以酚醛树脂引入C源,同时加入B4C作为烧结助剂,此方法可以减少C黑的加入量,同时增加酚醛树脂的用量,其有利于SiC陶瓷的成型。另外通过调节C含量和温度可以获得不同晶粒尺寸和形貌的SiC陶瓷,为SiC陶瓷的光学加工提供实验与理论基础。
发明内容
本发明目的在于减少添加物的数量,同时使烧结助剂C得到均匀混合,其制备方法如下:
(1)SiC粉体,B4C粉体和酚醛树脂为原料;B4C粉体占总量的0.1~1wt%,酚醛树脂占总量的5-30wt%;
所述SiC粉体和B4C粉体优选平均粒径为0.1~1μm;
所述酚醛树脂优选裂解残C率为40-60wt%,
(2)以水为溶剂,将原料配成40-45wt%的浆料,以SiC球作为研磨球,混合,烘干,粉碎,过筛,干压和/或等静压成型,脱粘后,在Ar气气氛下烧结;
所述原料:SiC球质量比为1∶1~5;
所述干压压力为20MPa-100MPa,所述等静压压力为100MP~500MPa;
所述烧结温度为1900-2300℃,保温时间为30-90min。
本发明在同一烧结制度下2200℃-1h,通过添加不同含量酚醛树脂,得到了不同密度和力学性能的SiC陶瓷,密度最高可达3.15gcm-3,抗弯强度最大可为431.4MPa左右。
表1为不同酚醛树脂含量的SiC陶瓷力学性能,图1为添加不同酚醛树脂含量的SiC烧结体的XRD曲线,从图可以看出SiC粉体主要为α-SiC的6H晶型,经过2200℃的高温烧结后,有部分6H转化为4H晶型,4H相为高温稳定相。图2为不同酚醛树脂含量的SiC陶瓷的微观结构光学照片,从图中可以看出随着酚醛树脂含量的增加,SiC陶瓷的晶粒尺寸大小有减小的趋势。对于添加10wt%酚醛树脂的SiC陶瓷,通过不同烧结温度,可以获得不同晶粒尺寸和力学性能的SiC陶瓷(图3)。
表2为室温下10wt%酚醛树脂含量SiC陶瓷不同烧结制度下的力学性能。
表1
表2
综上所述,本发明以酚醛树脂为C源制备SiC陶瓷可以制备出力学性能较好和不同晶粒形貌尺寸的固相烧结SiC陶瓷。
附图说明
图1不同酚醛树脂含量的SiC陶瓷XRD曲线a-10wt%,b-13.3wt%,c-16.7wt%,d-20wt%,e-23.3wt%。
图2不同酚醛树脂含量下SiC陶瓷表面腐蚀后的光学照片,a-10wt%,b-13.3wt%,c-16.7wt%,d-20wt%,e-23.3wt%。
图3不同烧结温度下酚醛树脂10wt%含量的SiC陶瓷表面腐蚀后的光学照片:a-2200℃/1h,b-2100℃/1h,c-2050/3h。
具体实施方式
下面通过具体实施例进一步说明本发明的特点,但本发明决非局限于实施例。
实施例1
SiC、烧结助剂B4C(0.5wt%)与酚醛树脂(10wt%)一共100g,以水为溶剂,将三种粉体配成固含量为45wt%的浆料,以SiC球200g为球磨介质,混合24h,然后在恒温箱中80℃烘干为止。然后研磨粉碎,再经过100目的筛子过筛后,得到的粉体在平板硫化机上16MPa压力成型,然后在200MPa压力下等静压。脱粘后在常压Ar气气氛下烧结,烧结温度为2200℃,保温时间为1h,得到的SiC陶瓷密度为3.14gcm-3,抗弯强度为304.9MPa。
实施例2
SiC、烧结助剂B4C(0.6wt%)与酚醛树脂(20wt%)一共100g,以水为溶剂,将三种粉体配成固含量为40wt%的浆料,以SiC球200g为球磨介质,混合24h,然后在恒温箱中80℃烘干为止。然后研磨粉碎,再经过100目的筛子过筛后,得到的粉体在平板硫化机上16Mpa压力成型,然后在200MPa压力下等静压。脱粘后在常压Ar气气氛下烧结,烧结温度为2200℃,保温时间为1h,得到得到的SiC陶瓷密度为3.13gcm-3,抗弯强度为431.4MPa。
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