[发明专利]一种过压比较电路

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路，尤其涉及一种过压比较电路。

背景技术

在现有技术中，要检测高压电路中的一个高压信号是否大于电源电压，即常用的过压比较电路的结构示意图如图1所示，该过压比较电路包括串联连接的第一电阻R1和第二电阻R2，还包括并联在第二电阻R2两端的比较器CMP，当要检测高压信号HV Signal是否大于电源电压(例如V_dd+V_th，V_th为超过电源电压V_dd的参考值)(图中未示)时，即将高压信号HV Signal通过第一电阻R1和第二电阻R2分压后得到的电压VD与另一参考电平(如带隙基准)输入到比较器CMP进行比较，最后得到检测结果。然而上述这种电路结构的最大缺点是会浪费大量芯片面积，因此已越来越不能满足使用需要。

发明内容

为了克服上述现有技术存在的缺点，本发明旨在提供一种新颖的过压比较电路，以达到在消耗较少的芯片面积的前提下，可靠地实现过压检测功能的目的。

本发明所述的一种过压比较电路，它包括一反向器以及分别并联在一外部电源和地之间的第一至第五支路，

所述第一支路包括串联连接的一电流源和第一低压器件，且该第一低压器件的栅极与漏极连接；

所述第二支路包括串联连接的第一高压器件和第二低压器件，该第二低压器件的栅极与所述第一低压器件的栅极连接，且所述第一高压器件与一外部待测信号源之间串联有第二高压器件，该第二高压器件的栅极与漏极连接；

所述第三支路包括串联连接的第四高压器件和第四低压器件，该第四低压器件的栅极与漏极连接，且所述第四高压器件与所述外部待测信号源之间串联有第三高压器件，该第三高压器件的栅极与所述第二高压器件的栅极连接；

所述第四支路包括串联连接的第六低压器件和第三低压器件，且该第三低压器件的栅极与所述第一低压器件的栅极连接，所述第六低压器件的栅极与漏极连接；

所述第五支路包括串联连接的第七低压器件和第五低压器件，且该第五低压器件的栅极与所述第四低压器件的漏极连接，所述第七低压器件的栅极与所述第六低压器件的栅极连接；

所述反向器的输入端连接在所述第七低压器件和第五低压器件之间，并输出一识别信号。

在上述的过压比较电路中，所述第一高压器件的栅极、第六、七低压器件的源极同时与所述外部电源连接，且所述第四高压器件的栅极与所述外部电源连接；所述第一至第五低压器件的源极同时接地。

在上述的过压比较电路中，所述第二高压器件的源极与所述外部待测信号源连接，其漏极与所述第一高压器件的漏极连接；所述第三高压器件的源极与所述外部待测信号源连接，其漏极与所述第四高压器件的源极连接。

由于采用了上述的技术解决方案，本发明利用高、低压器件的导通、关断特性，实现了高压信号与电源电压的比较，即过压比较功能，同时由于电路结构中采用了高、低压器件，从而大大减少了芯片的消耗面积，有效降低了芯片制造成本，满足了使用者的需要。

附图说明

图1是现有技术中的过压比较电路的结构示意图；

图2是本发明的一种过压比较电路的结构示意图。

具体实施方式

如图2所示，本发明，即一种过压比较电路，包括一反向器INV以及分别并联在一外部电源VDD和地之间的第一至第五支路1至5，其中：

第一支路1包括串联连接的一电流源I0和第一低压器件M1，且该第一低压器件M1的栅极与漏极连接，其源极接地；

第二支路2包括串联连接的第一高压器件M21和第二低压器件M2，其中，第二低压器件M2的源极接地，其栅极与第一低压器件M1的栅极连接，第一高压器件M21的栅极与外部电源VDD连接，其漏极与一外部待测信号源FB之间串联有第二高压器件M22，该第二高压器件M22的源极接收待测的高压信号，其栅极与漏极连接；

第三支路3包括串联连接的第四高压器件M24和第四低压器件M4，其中，第四低压器件M4的栅极与漏极连接，其源极接地，第四高压器件M24的栅极与外部电源VDD连接，其源极与外部待测信号源FB之间串联有第三高压器件M23，该第三高压器件M23的源极接收待测的高压信号，其栅极与第二高压器件M22的栅极连接；

第四支路4包括串联连接的第六低压器件M6和第三低压器件M3，其中，第三低压器件M3的源极接地，其栅极与第一低压器件M1的栅极连接，第六低压器件M6的源极与外部电源VDD连接，其栅极与漏极连接；