[发明专利]电泳显示器及其驱动方法有效
申请号: | 200910247414.3 | 申请日: | 2009-12-29 |
公开(公告)号: | CN102110416A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 李忠丽;罗熙曦;马骏;吴勇 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G09G3/34 | 分类号: | G09G3/34;G02F1/167 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电泳 显示器 及其 驱动 方法 | ||
1.一种电泳显示器,包括彼此交叉的多条数据线和多条栅极线以及位于栅极线与数据线交点处的多个像素单元,其中每个像素单元包括:开关元件、第一电压线、第二电压线,分别与所述开关元件、所述第一电压线和所述第二电压线连接的电压选择单元,以及与所述电压选择单元连接的像素电极,其中,
当所述栅极线打开所述开关元件,所述数据线上的数据电压为高电压时,所述开关元件将高电压输送至所述电压选择单元,所述电压选择单元将所述第一电压线上的电压施加给所述像素电极;所述数据线上的数据电压为低电压时,所述开关元件将低电压输送至所述电压选择单元,所述电压选择单元将所述第二电压线上的电压施加给所述像素电极。
2.如权利要求1所述的电泳显示器,其特征在于,所述像素单元还包括一存储单元,所述存储单元存储所述开关元件输送的电压,以使所述电压在所述开关元件关闭后,继续输出到所述电压选择单元。
3.如权利要求2所述的电泳显示器,其特征在于,所述存储单元是一存储电容,其两端分别与所述开关元件和所述第一电压线连接。
4.如权利要求3所述的电泳显示器,其特征在于,所述开关元件是薄膜晶体管,所述开关元件的漏极与所述数据线连接,所述开关元件的栅极与所述栅极线连接,所述开关元件的源极与所述电压选择单元和所述存储单元连接。
5.如权利要求4所述的电泳显示器,其特征在于,所述电压选择单元包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极与所述开关元件的源极连接,所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一电压线连接,所述第三薄膜晶体管的栅极和漏极以及所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第二电压线连接,所述第三薄膜晶体管的源极和所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接,所述第四薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接。
6.如权利要求5所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管是非晶硅薄膜晶体管。
7.如权利要求4所述的电泳显示器,其特征在于,所述电压选择单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极与所述开关元件的源极连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述第一电压线连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二电压线连接,所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的源极与所述像素电极连接。
8.如权利要求7所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管是多晶硅薄膜晶体管。
9.如权利要求8所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一薄膜晶体管是N型的多晶硅薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管是P型的多晶硅薄膜晶体管。
10.如权利要求1至9中任意一项所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一电压线上的电压为0V,所述第二电压线上的电压为+10V~+30V。
11.如权利要求10所述的电泳显示器,其特征在于,还包括用于向所述数据线提供数据电压的数据驱动电路,所述数据电压为-5V~+5V。
12.如权利要求11所述的电泳显示器,其特征在于,还包括用于向所述栅极线提供扫描信号的栅极驱动电路,所述扫描信号为-20V~+35V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910247414.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。