[发明专利]柔性半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910246065.3 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740495A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 江口晋吾;及川欣聪;片山雅博;中村亚美;门马洋平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种柔性半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成剥离层；
在所述剥离层上形成半导体元件；
在所述半导体元件上形成树脂层；
使用蚀刻液溶解所述剥离层；
将薄膜插入所述剥离层被溶解的区域；以及
通过向所述剥离层的尚未溶解的区域移动所述薄膜来从所述衬底 分离所述半导体元件。
2.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 薄膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
3.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 蚀刻液是碱溶液。
4.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 蚀刻液是氨-过氧化氢的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 树脂层包括紫外线固化树脂。
6.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 剥离层包括金属材料。
7.根据权利要求1所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 剥离层包括钨。
8.一种柔性半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成剥离层；
在所述剥离层上形成半导体元件；
在所述半导体元件上形成树脂层；
通过以围绕所述半导体元件的方式照射激光，来在所述树脂层中 形成槽；
沿着所述槽使用蚀刻液溶解所述剥离层；
将薄膜插入所述剥离层被溶解的区域；以及
通过向所述剥离层的尚未溶解的区域移动所述薄膜来从所述衬底 分离所述半导体元件。
9.根据权利要求8所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 薄膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
10.根据权利要求8所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 蚀刻液是碱溶液。
11.根据权利要求8所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 蚀刻液是氨-过氧化氢的混合溶液。
12.根据权利要求8所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 树脂层包括紫外线固化树脂。
13.根据权利要求8所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所述 剥离层包括金属材料。
14.根据权利要求8所述的柔性半导体装置的制造方法，其中所 述剥离层包括钨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910246065.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种小区域除尘装置
- 下一篇：一种用于气体分析仪的气体过滤器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
