[发明专利]硅晶体电池表面结构及其制造方法

权利要求书

1.一种硅晶体电池表面结构，其主体包含一正面及一背面，其特征在于：所述的正面微结构的表面形态包括复数个锥状体，所述的背面微结构的表面形态包括复数个弧状体或复数个多边形体，正面微结构的粗糙系数大于背面微结构的粗糙系数。

2.如权利要求1所述的硅晶体电池表面结构，其特征在于：所述的锥状体的高度大于或等于0.1微米，且小于或等于30微米，且这些锥状体顶点之间距大于或等于0.1微米，且小于或等于30微米，所述的锥状体的顶角角度大于或等于1度，且小于或等于89度。

3.如权利要求1所述的硅晶体电池表面结构，其特征在于：所述的弧状体的宽度与深度大于或等于0.1微米，且小于或等于15微米。

4.如权利要求1所述的硅晶体电池表面结构，其特征在于：所述的多边形体为正梯形体，这些正梯形体的高度大于或等于0.1微米，且小于或等于30微米，且这些正梯形体的下底宽度大于或等于0.1微米，且小于或等于30微米。

5.一种硅晶体电池表面结构的制造方法，所述的硅晶体电池表面结构包含一主体，该主体具有一正面及一背面，其特征在于，该硅晶体电池表面结构的制造方法包含下列步骤：

(1)用第一蚀刻材料蚀刻主体的正面及背面；

(2)以一屏障阻挡背面，以第二蚀刻材料蚀刻主体的正面并使主体正面结构的粗糙系数大于背面结构的粗糙系数。

6.如权利要求5所述的硅晶体电池表面结构的制造方法，其特征在于：步骤(2)完毕后，移除背面的阻挡屏障。

7.如权利要求5所述的硅晶体电池表面结构的制造方法，其特征在于：所述的第一蚀刻材料为氢氧化钾(KOH)、硝酸(HNO₃)加氢氟酸(HF)。

8.如权利要求5所述的硅晶体电池表面结构的制造方法，其特征在于：所述的第二蚀刻材料为六氟化硫(SF₆)。

9.如权利要求5所述的硅晶体电池表面结构的制造方法，其特征在于：所述的第二蚀刻材料为异丙醇(IPA)加氢氧化钾(KOH)。