[发明专利]光子晶体可调谐边发射激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种光子晶体可调谐边发射激光器，其特征在于，包括：

一光子晶体激光器；以及

一用于泵浦所述光子晶体激光器的泵浦源。

2.根据权利要求1所述的光子晶体可调谐边发射激光器，其特征在于，所述泵浦源是光泵浦源。

3.一种光子晶体可调谐边发射激光器的制作方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：在半导体材料上制作一个二维薄板结构的光子晶体波导，使该光子晶体波导的一边用完整的光子晶体晶格包围，实现光场的100％反射；

步骤2：利用低群速度的导波模式，使得当泵浦源泵浦光子晶体边发射激光器时，光波在光子晶体波导内形成很强的共振，从而产生激光；

步骤调整光子晶体波导最近邻空气孔半径的大小，改变光子晶体导波能带的带边频率；

步骤4：光子晶体波导的导波能带的变化使得光子晶体低群速度的导波模式的频率位置发生变化；

步骤5：通过泵浦源泵浦光子晶体可调谐边发射激光器结构的不同位置使得不同频率的低群速度的导波模式发生共振，从而实现可调谐激光的输出。

4.根据权利要求3所述的光子晶体可调谐边发射激光器的制作方法，其特征在于，步骤1中所述半导体材料为GaN/AlGaN材料、GaAs/AlGaAs材料、InP/InGaAsP或GaSb/InGaSb材料。

5.根据权利要求3所述的光子晶体可调谐边发射激光器的制作方法，其特征在于，步骤2中所述激光的产生，是频率处于光子晶体波导导波能带中带边处，其光子群速度很小，甚至可以为零，具有很大的光子态密度，使得增益得到增强，从而处于带边频率处的光子形成很强的反馈，从而实现激光谐振，产生激光。

6.根据权利要求3所述的光子晶体可调谐边发射激光器的制作方法，其特征在于，步骤2中所述泵浦源是光泵浦源。

7.根据权利要求3所述的光子晶体可调谐边发射激光器的制作方法，其特征在于，步骤5中所述可调谐激光的输出是侧向输出的。