[发明专利]一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种超高灵敏磁电阻薄膜材料，其特征在于，所述磁电阻薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/Ni_xFe_100-x/MgO/保护层，其中

所述磁电阻薄膜材料在磁控溅射仪中制备，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积所述缓冲层/MgO/Ni_xFe_100-x/MgO/保护层，70＜x＜90；

溅射室本底真空度为1×10^-5～6×10^-5Pa，溅射时氩气压为0.2～0.7Pa，所述基片用循环水冷却，平行于基片方向加有150～250Oe的磁场，以诱发一个易磁化方向；

所述磁电阻薄膜材料在真空退火炉中进行真空磁场热处理，所述退火炉本底真空度为2×10^-5～8×10^-5Pa，退火温度400～600℃，退火时间为10分钟～6小时，退火场500～1000Oe。

2.如权利要求1所述的超高灵敏磁电阻薄膜材料，其特征在于，溅射时氩气的纯度为99.99％。

3.如权利要求1所述的超高灵敏磁电阻薄膜材料，其特征在于，所述缓冲层是Ta、NiFeCr或NiCr。

4.如权利要求1所述的超高灵敏磁电阻薄膜材料，其特征在于，所述保护层是Ta或Au。

5.如权利要求1～4所述的超高灵敏磁电阻薄膜材料，其特征在于，所述磁电阻薄膜材料各层的厚度为：缓冲层30～MgO 10～Ni_xFe_100-x50～MgO 10～保护层50～