[发明专利]一种增益可变的宽带射频低噪声放大器

权利要求书

1.一种增益可变的宽带射频低噪声放大器，其特征在于：包括输入级电路 (100)，与该输入级电路相连的可变增益单元(200)，信号合成单元(300)，反馈 单元(400)以及宽带输出级(500)；所述的输入级电路(100)由第一MOS管(M1) 和第一电感(L1)，第二电感(L2)组成；所述的可变增益单元(200)由第二 MOS管(M2)，第三MOS管(M3)，第三电感(L3)，第四电感(L4)，第二 电阻(R2)，第三电阻(R3)，第三电容(C3)和第四电容(C4)组成：所述 的信号合成单元(300)由第四MOS管(M4)，第五MOS管(M5)和第六MOS 管(M6)组成；所述的反馈单元(400)由第一电容(C1)和第一电阻(R1)组 成；所述的宽带输出级(500)由第二电容(C2)，第七MOS管(M7)，第八 MOS管(M8)组成；射频信号RFin通过第二电感(L2)输入到第一MOS管 (M1)的栅极，第一MOS管(M1)的源极通过第一电感(L1)接地；第一 MOS管(M1)的漏极接第二MOS管(M2)和第三MOS管(M3)的源极， 第二MOS管(M2)和第三MOS管(M3)的栅极分别连接控制电压(Vc)和 偏置电压(Vb)，第二MOS管(M2)和第三MOS管(M3)的漏极一方面分 别通过第二电阻(R2)与第三电感(L3)，第三电容(R3)与第四电感(L4) 的串联网络连接至VDD，另一方面分别通过交流耦合第四电容(C4)，第三电 容(C3)连接至第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)的栅极；第五MOS 管(M5)和第六MOS管(M6)的漏极都连接至VDD，源极都接第四MOS 管(M4)的漏极和第一电阻(R1)，第一电阻(R1)的另一端通过第一电容(C1) 连接至第一MOS管(M1)的栅极，形成反馈回路，第四MOS管(M4)的栅 极接偏置电压，源极接地；第三MOS管(M3)的漏极通过交流耦合第三电容 (C3)、第二电容(C2)连接至第八MOS管(M8)的栅极，第八MOS管(M8) 的漏极接VDD，源极接第七MOS管(M7)的漏极，第七MOS管(M7)的 源极接地，栅极接偏置电压，作为源极跟随器的电流源，第七MOS管(M7)， 第八MOS管(M8)形成一个宽带输出级，射频信号从第八MOS管(M8)的 源极输出。

2.根据权利要求1所述的增益可变的宽带射频低噪声放大器，其特征在于： 所说的信号合成单元(400)中，第四MOS管(M4)，第五MOS管(M5)， 第六MOS管(M6)也可以是PMOS管。

3.根据权利要求1所述的增益可变的宽带射频低噪声放大器，其特征在于： 所述第一电阻(R1)的值为500-1KΩ。

4.根据权利要求1所述的增益可变的宽带射频低噪声放大器，其特征在于： 调节所述控制电压(Vc)能够在第三MOS管(M3)的漏极得到不同的增益。

5.根据权利要求1所述的增益可变的宽带射频低噪声放大器，其特征在于： 所述增益可变的宽带射频低噪声放大器的最大带宽达到8G Hz，增益控制范围 达20dB。