[发明专利]一种半导体设备用铝合金及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体设备用铝合金的制备方法，其步骤如下：

(1)原料检验：对原料成分进行检验；

(2)熔炼：首先将0.3～0.67wt％Al-Ti中间合金、1.9～3.75wt％Al-Si中间合金 和93.23～96.525wt％金属Al装入熔炼炉内，在大气条件下熔炼，待合金熔化后，在 650-700℃加入0.10～0.15wt％电解Cu，在700-800℃加入0.05～0.33wt％的Cr剂 和0.125～0.67wt％的Mn剂，最后加入1.00～1.20wt％金属Mg，原料软化坍塌后进 行搅拌，表面采用覆盖剂进行覆盖；所述的Cr剂为Cr粉、助熔剂和铝粉，所述的 Mn剂为Mn粉、助熔剂和铝粉；所述的Cr剂中，Cr为60～80wt％，Mn剂中Mn为 60～80wt％；所述的Al-Ti中间合金中Al含量为95～97wt％，Ti含量为3～5wt％；Al-Si 中间合金中Al含量为70～80wt％，Si含量为20～30wt％；金属Al的纯度为99.7～99.99 wt％，电解Cu的纯度为99.8～99.99wt％；

(3)炉前分析：温度达到700～800℃时并经充分搅拌后取样进行炉前分析；

(4)成分调整：依炉前分析结果进入下道工序或进行调整添加合金成分，使 合金的组分和重量配比如下：Mg 1.00～1.20％、Si 0.58～0.75％、Mg/Si 1.6～1.73、 Cu 0.10～0.15％、Cr 0.04～0.20％、Mn 0.10～0.40％、Ti 0.015～0.02％、Fe≤0.3％， 余量为Al，然后再次进行成分分析直至合格后静止10～20分钟；

(5)导炉：组织成分合格后将合金溶液从熔炼炉导入保温炉，保温温度730～750 ℃；

(6)精炼除气、扒渣：将陶瓷过滤片放入钟罩压入溶液进行除气除渣，除气 10-20分钟后进行扒渣；

(7)电磁铸造：电磁铸造速度为60～100mm/分钟，铸造频率为15～20Hz；

(8)温度调整：将溶液温度调整至730～760℃后转入电磁铸造结晶器；

(9)产品检验：按照组织要求进行检验，合格后转入锻造加工成半导体设备 用铝合金坯锭。