[发明专利]一种下电极装置及应用该下电极装置的等离子体处理设备

权利要求书

1.一种下电极装置，用于在等离子体处理设备的工艺腔室内形成均匀的偏压电场，包括电极主体、与所述电极主体相连接的电极电源，其特征在于，所述下电极装置还包括环绕所述电极主体而设置的电极基环组以及与所述电极基环组相连接的基环电源，所述电极基环组至少包括自上而下依次层叠的绝缘基环和导体基环，所述导体基环与所述基环电源相连接，所述基环电源的参数可被调节以在所述下电极装置上方获得均匀分布的偏压电场。

2.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，所述基环电源包括直流电源或射频电源。

3.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，所述直流电源的电压范围为-1000V～100V。

4.根据权利要求3所述的下电极装置，其特征在于，所述直流电源的电压范围为-500V～0V。

5.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，所述射频电源的频率范围为1KHz～60MHz，射频功率范围为10W～500W。

6.根据权利要求5所述的下电极装置，其特征在于，所述射频电源的频率范围为400KHz～13.56MHz，射频功率范围为10W～300W。

7.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，所述电极基环组至少还包括一个支撑基环，所述支撑基环设置于所述导体基环的下方，用以支撑所述导体基环和绝缘基环。

8.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，所述导体基环的材料为铝或石墨。

9.根据权利要求7所述的下电极装置，其特征在于，所述绝缘基环和所述支撑基环的材料分别选自石英、陶瓷、硅和碳化硅中的一种。

10.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，所述电极主体包括静电卡盘，所述电极电源包括射频电源。

11.一种等离子体处理设备，包括工艺腔室，其特征在于，在所述工艺腔室内部的下方还设置有权利要求1-10中任意一项所述的下电极装置，用以在所述工艺腔室内形成均匀的偏压电场。