[发明专利]一种NMOS器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200910239096.6 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102110646A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李永辉 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/336;H01L21/02;H01L21/28;H01L27/06;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种NMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在硅片的栅氧区和场氧区分别形成栅极和PIP电容器的下极板；
在栅氧区定义出N型轻掺杂漏区NLDD层的图形，并注入形成NLDD区；
在NLLD区完全注入后，在PIP电容器的下极板上生长一层介电层，并在介电层上形成PIP电容器的上极板；
在NLDD区上形成隔层，然后形成N+区。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在硅片的栅氧区和场氧区分别形成栅极和PIP电容器的下极板的步骤具体为：
在硅片上沉积第一层多晶硅；
对所述第一层多晶硅低阻化处理；
在低阻化处理过的第一层多晶硅上形成栅极和PIP电容器的下极板。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，对所述第一层多晶硅通过磷扩散或者注入的方式进行低阻化处理。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述隔层为TEOS层。
5.一种NMOS器件，包括形成于栅氧区之上的NMOS部分和形成于场氧区之上的PIP电容器；所述NMOS部分包括形成于栅氧区之上的栅极、N型轻掺杂漏区NLDD区和N+区，所述NLDD区上还形成有隔层，其特征在于，所述NLDD区为完全注入，所述NLDD区与所述栅极边缘紧密相连。
6.如权利要求5所述的NMOS器件，其特征在于，所述栅极为低阻化处理过的多晶硅层。
7.如权利要求5所述的NMOS器件，其特征在于，所述隔层为TEOS层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
