[发明专利]用于多位存储的沟槽型非挥发存储器

权利要求书

1.一种用于多位存储的沟槽型非挥发存储器，其特征是所述沟槽型非挥发存 储器(401)包括p型半导体衬底(411)、p型半导体衬底上的p阱(410)、p阱(410) 上面的深槽(402)、深槽(402)底部的n型掺杂区(403)、p阱(410)上面深槽(402)一 侧的边缘处衬底中的源极区(408)和p阱上面深槽(402)另一侧的边缘处衬底中的 漏极区(409)；

所述深槽(402)内是由二氧化硅隧穿介质层(404)、电荷俘获层(405)、绝缘介 质层(406)和多晶硅控制栅(407)构成的栅结构；

所述电荷俘获层(405)用于俘获电荷；

所述绝缘介质层(406)用于阻挡电荷在所述电荷俘获层(405)与所述多晶硅控 制栅(407)之间的迁移；

所述多晶硅控制栅(407)用于控制源极区(408)和漏极区(409)之间的导通与断 开；

所述沟槽型非挥发存储器(401)在进行写入操作时，多晶硅控制栅(407)施加 负电压，漏极区(409)/源极区(408)施加正电压，源极区(408)/漏极区(409)浮空或 接地，从而实现带带隧穿热空穴注入效应；

所述沟槽型非挥发存储器(401)在进行擦除操作时，多晶硅控制栅(407)施加 正电压，源极区(408)和漏极区(409)浮空或接地，从而实现沟道F-N隧穿效应；

所述沟槽型非挥发存储器(401)在进行读取操作时，多晶硅控制栅(407)施加 正电压或负电压；漏极区(409)施加正电压且源极区(408)接地，或者源极区(408) 施加正电压且漏极区(409)接地。

2.根据权利要求1所述的一种用于多位存储的沟槽型非挥发存储器，其特征 是所述电荷俘获层(405)是具有电荷俘获能力的介质材料。

3.根据权利要求1所述的一种用于多位存储的沟槽型非挥发存储器，其特征 是所述绝缘介质层(406)是具有电荷阻挡能力的绝缘介质材料。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种用于多位存储的沟槽型非挥发存储器， 其特征是所述沟槽型非挥发存储器的p阱(410)接地。