[发明专利]单介质层离线镀膜低辐射玻璃无效
申请号: | 200910238533.2 | 申请日: | 2009-12-01 |
公开(公告)号: | CN101708960A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 李德杰 | 申请(专利权)人: | 李德杰 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 介质 离线 镀膜 辐射 玻璃 | ||
1.低辐射玻璃,具有单银层结构,其基本结构中,由下而上依次包括玻璃板10、银层11、介质层12,其特征在于:介质层12由1至10个子层组成,构成子层的材料包括氧化锌薄膜、氧化锡薄膜、氧化铟锡薄膜、硅薄膜、硅和其它金属组成的以硅为主的硅合金薄膜、氧化硅薄膜、氧化硅合金薄膜、氮化硅薄膜、氮化硅合金薄膜等,构成子层的材料还包括铝、钛、锆、铪、铌、钽等金属及这些金属之间合金的氧化物和氮化物薄膜,构成子层的材料还包括沿玻璃表面法线方向上组分和折射率渐变分布的硅氧薄膜、硅合金氧薄膜、硅氮薄膜、硅合金氮薄膜、硅氧氮薄膜、硅合金氧氮薄膜,构成子层的材料还包括沿玻璃表面法线方向上组分和折射率渐变分布的铝、钛、锆、铪、铌、钽等金属及这些金属之间合金的氮薄膜;构成介质层的各个子层的薄膜可以相同,也可以不同,但至少有一个子层是由硅薄膜和硅合金薄膜中的一种构成,或者由沿玻璃表面法线方向上组分和折射率渐变分布的硅氧薄膜、硅合金氧薄膜、硅氮薄膜、硅合金氮薄膜、硅氧氮薄膜、硅合金氧氮薄膜中的一种构成,或者由沿玻璃表面法线方向上组分和折射率渐变分布的铝、钛、锆、铪、铌、钽等金属及这些金属之间合金的氮薄膜中的一种构成。
2.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于:所述构成介质层中子层的组分和折射率渐变分布的硅氧薄膜、硅氮薄膜、硅氧氮薄膜等是硅含量沿玻璃表面法线方向上逐渐变化的薄膜,以该子层的中心平面为对称平面,组分和折射率在该中心平面的上下两侧成对称分布,硅组分和折射率最高的部分位于该子层的中心平面,硅组分和折射率最低的部分位于该子层最外侧的两个平面;所述构成介质层中子层的组分和折射率渐变分布的硅合金氧薄膜、硅合金氮薄膜、硅合金氧氮薄膜等是硅合金含量沿玻璃表面法线方向上逐渐变化的薄膜,以该子层的中心平面为对称平面,组分和折射率在该中心平面的上下两侧成对称分布,硅合金组分和折射率最高的部分位于该子层的中心平面,硅合金组分和折射率最低的部分位于该子层最外侧的两个平面;所述构成介质层中子层的组分和折射率渐变分布的铝、钛、锆、铪、铌、钽等金属及这些金属之间合金的氮薄膜是铝、钛、锆、铪、铌、钽等金属及这些金属之间合金的含量沿玻璃表面法线方向上逐渐变化的薄膜,以该子层的中心平面为对称平面,组分和折射率在该中心平面的上下两侧成对称分布,铝、钛、锆、铪、铌、钽等金属及这些金属之间合金的组分和折射率最高的部分位于该子层的中心平面,铝、钛、锆、铪、铌、钽等金属及这些金属之间合金的组分和折射率最低的部分位于该子层最外侧的两个平面。
3.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于:在银层的上下两侧或单侧设置保护层兼界面改善层,该层采用钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、镍、钴等金属薄膜或这些金属之间的合金薄膜,也可采用不锈钢薄膜,该薄膜厚度小于3纳米。
4.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于:所述的以硅为主的硅合金薄膜包括硅与铜、银、镁、铝、钛、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铬、铁、钴、镍等金属组成的二元合金,也包括硅与上述金属之间构成的多元合金;硅合金氧薄膜包括硅与铜、银、镁、铝、钛、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铬、铁、钴、镍金属组成的二元合金氧薄膜,也包括硅与上述金属之间构成的多元合金氧薄膜;硅合金氮薄膜包括硅与铜、银、镁、铝、钛、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铬、铁、钴、镍金属组成的二元合金氮薄膜,也包括硅与上述金属之间构成的多元合金氮薄膜;硅合金氧氮薄膜包括硅与铜、银、镁、铝、钛、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铬、铁、钴、镍金属组成的二元合金氧氮薄膜,也包括硅与上述金属之间构成的多元合金氧氮薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李德杰,未经李德杰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910238533.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。