[发明专利]一种有机电致发光器件有效
| 申请号: | 200910238027.3 | 申请日: | 2009-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN101710612B | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
| 发明(设计)人: | 邱勇;段炼;谢静 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京维信诺科技有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
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| 地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域,尤其涉及一种改进阴极层的有机电致发光器件。
背景技术
早在五十年代,Bernanose.A等人就开始了有机电致发光器件(OLED)的研究。最初研 究的材料是蒽单晶片.由于存在单晶片厚度太厚的问题(10-20μm),所需的驱动电压高达几 百伏。1982年Vinceet用真空蒸镀法制成了50nm厚的蒽薄膜,在30伏电压下观察到了蓝 色荧光,但其外量子效率只有0.03%。早期的有机电致发光徘徊在高电压、低亮度、低效 率的水平上。直到1987年美国Eastman Kodak公司的邓青云(C.W.Tang)和Vanslyke报道了 结构为:ITO/Diamine/Alq3/Mg:Ag的有机小分子电致发光器件,器件在10伏的工作电压下 亮度达1000cd/m2,外量子效率达到1.0%,引起了科学家们的广泛关注。紧接着1990年 英国剑桥大学的J.H.Burroughes小组在Nature上首次报道了共轭聚合物PPV也能实现电 致发光的消息,他们采用旋涂甩膜的方法成功的制备了结构为ITO/PPV/Ca聚合物有机发 光器件,获得了0.05%的外量子效率。从以上报道中人们看到了有机电致发光器件应用于 显示的可能性,从此揭开了有机小分子及聚合物电致发光研究及产业化的序幕。
普遍研究认为,OLED器件的发光区域中,空穴和电子的含量是不够匹配的,往往是 空穴多于电子。所以,很多研究者都在致力于电子注入和传输的改善。从早期的Mg:Ag 阴极,到后来业界普遍采用的LiF/Al,电子的注入能力得到了有效的提升。但是,随着有 机发光材料体系的不断发展和进步,以及OLED应用领域的新拓展,对于器件的亮度、效 率和功耗有了新的要求,对于阴极电子注入的能力也有更高的要求,对于阴极结构的设计 和材料的选择也就需要研究者不断投入开发力量,找到更为高效稳定的阴极。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够有效提高器件电子注入能力,使得器件发光效率得到 显著提高的有机电致发光器件。
本发明的目的是通过以下技术方案予以实现的:本发明之有机电致发光器件,包括基 板,于基板上形成的阳极层,于阳极层上形成的有机功能层,于有机功能层上形成的阴极 层,阴极层至少包括第一阴极层、第二阴极层和第三阴极层三层,第一阴极层至少包含一 种碱金属元素或其化合物,第二阴极层至少包含一种碱土金属元素或含有此种元素的合 金,第三阴极层为金属层银或铝。
上述第一阴极层形成于有机功能层之上。
上述第一阴极层包含的碱金属选自Li、Na、K、Cs、Rb。
上述第一阴极层包含的碱金属化合物选自碱金属氮化物、碱金属卤化物、碱金属氧化 物或碱金属盐,具体选自LiF、Li3N、Li2CoO2、LiBH、NaF、NaCl、KBH4、KF、CsCO3、 CsF、CsCl、Rb2O。
上述第一阴极层还包含一种碱土金属元素。
上述第一阴极层为Li与Mg、Li与Ca、Cs与Mg或Cs与Ca的合金,其中碱土金属 元素所占质量百分比为5%~50%。
上述第一阴极层的厚度为0.1~50nm,优选厚度为0.5~20nm。
第二阴极层形成于第一阴极层之上。
上述第二阴极层包含的碱土金属选自Mg、Ca、Sr。
上述第二阴极层包含的含碱土金属的合金选自Mg与Ag、Ca与Ag、Sr与Ag、Mg 与Li、Mg与Al或Ca与Li的合金,其中碱土金属元素在该层中所占质量百分比为 50%~95%。
上述第二阴极层厚度为10~300nm。
第三阴极层形成于第二阴极层之上。
第三阴极层的厚度为20~300nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





