[发明专利]一种微流控芯片及其制备方法有效
| 申请号: | 200910237741.0 | 申请日: | 2009-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN102059161A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
| 发明(设计)人: | 聂富强;江雷;朱道本 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00;B01J19/00;G01N35/00 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 李柏 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 微流控 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种微流控芯片,该微流控芯片包括上芯片单元和下芯片单元,所述上芯片单元和/或下芯片单元的表面包括储液孔、与储液孔连通的流体通道和与流体通道连通的微通道,上芯片单元与下芯片单元相互贴合并将微通道封闭在上芯片单元与下芯片单元之间,其特征在于:所述微流控芯片还包括微阀,所述微阀为形成在微通道上的阵列式排列的聚合物的三维微米和三维纳米分级结构、阵列式排列的聚合物的三维微米结构、阵列式排列的聚合物的三维纳米结构中的一种;所述聚合物具有在外场作用下能够对外场产生特定响应,所述特定响应为聚合物的表面化学组成、聚合物的三维微米和三维纳米分级结构、聚合物的三维微米结构、聚合物的三维纳米结构以及聚合物的表面性能中的一种或几种的可逆性转变,从而能够实现对微通道中微流体的流动状态的可控操作;
所述外场选自光、电、温度、微流体的pH值和微流体的离子强度中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的微流控芯片,其中,所述聚合物的表面化学组成的可逆性转变,是聚合物的氧化态与还原态之间的可逆性转变;
所述的聚合物的三维微米和三维纳米分级结构的可逆性转变,是聚合物的三维纳米尺度的结构向三维微米尺度的结构进行变化后再变化回三维纳米尺度的结构的可逆转变,以及三维微米尺度的结构向更大尺度的三维微米尺度的结构进行变化后再回到原三维微米尺度;
所述的聚合物的三维微米结构的可逆性转变,是聚合物的三维微米尺度的结构向更大尺度的三维微米尺度的结构进行变化后再回到原三维微米尺度;
所述的聚合物的三维纳米结构的可逆性转变,是聚合物的三维纳米尺度的结构向更大尺度的三维纳米尺度的结构进行变化后再回到原三维纳米尺度;
所述的聚合物的表面性能的可逆性转变,是聚合物的亲水性与疏水性之间或亲油性与疏油性之间的可逆性转变。
3.根据权利要求2所述的微流控芯片,其中,所述的聚合物的亲水性与疏水性之间的可逆性转变是聚合物的超亲水性与超疏水性之间的可逆性转变,所述的聚合物的亲油性与疏油性之间的可逆性转变是聚合物的超亲油性与超疏油性之间的可逆性转变。
4.根据权利要求1所述的微流控芯片,其中,所述形成在微通道上的阵列式排列的聚合物的三维微米和三维纳米分级结构、阵列式排列的聚合物的三维微米结构、或阵列式排列的聚合物的三维纳米结构的体积占整个微通道总容积的60-90%。
5.根据权利要求1、2或4所述的微流控芯片,其中,所述阵列式排列的聚合物的三维微米和三维纳米分级结构、阵列式排列的聚合物的三维微米结构、或阵列式排列的聚合物的三维纳米结构为纳米线阵列结构、三角形阵列结构、乳突形阵列结构和齿轮形阵列结构中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的微流控芯片,其中,所述储液孔、流体通道和微通道形成在下芯片单元的表面,所述微阀形成在该微通道上。
7.根据权利要求1、2或4所述的微流控芯片,其中,所述聚合物选自偶氮苯聚合物、聚吡咯、聚苯胺、聚异丙基丙烯酰胺、聚异丙基甲基丙烯酰胺、聚丙烯酸凝胶和聚氨酯水凝胶中的一种或几种。
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