[发明专利]静电致动器及其制备方法、抗瞬时扰动方法

权利要求书

1.一种静电致动器，包括：

固定电极，为固定连接于衬底上的引线电极的平板电极；

第一可动电极，为设置于距所述衬底设定高度的平板电极；

第二可动电极，为矩形框平板电极，设置于所述第一可动电极同 一平面上、所述固定电极与所述第一可动电极之间；

所述第一可动电极及第二可动电极均与弹性部件相连；

所述固定电极、第一可动电极均有两个，每个所述固定电极以及 与其对应的一个第一可动电极之间设置所述第二可动电极矩形框的 一条边。

2.如权利要求1所述的静电致动器，其特征在于，所述弹性部件 为折叠弹簧。

3.一种基于权利要求1所述的静电致动器的复合静电致动器， 该复合致动器由静电致动器及梳齿致动器两部分构成。

4.如权利要求3所述的复合静电致动器，其特征在于，所述静 电致动器的第二可动电极固定在穿过其中线的通梁上，通过所述通梁 与所述梳齿致动器的折叠弹簧及可动电极相连，所述通梁一端设置光 处理端头。

5.一种基于权利要求1-2任一项所述的静电致动器或权利要求 3-4任一项所述的复合静电致动器的抗瞬时扰动方法，用于包含所述 静电致动器或复合静电致动器的系统中，该方法包括步骤：

D1.通过弹性部件，探测扰动因素引起的静电致动器可动电极位 置变化，获得外来瞬态干扰信息；

D2.利用电场效应，将位置变化信号转变为电场信号，对系统进 行自适应复位补偿控制，使系统稳定。

6.一种静电致动器的制备方法，包括步骤：

S1.选取硅片及玻璃衬底；

S2.在所述硅片上形成掩膜，刻蚀第一深槽，所述第一深槽的深 度为第一、第二可动电极与玻璃衬底之间的设定高度；

S3.去除所述掩膜，对所述硅片表面进行掺杂，形成欧姆接触；

S4.在所述玻璃衬底上制作引线电极；

S5.将所述玻璃衬底及硅片进行阳极键合；

S6.在所述硅片上形成掩膜，刻蚀第二深槽，所述第二深槽的深 度为第一、第二可动电极的厚度；

S7.去除所述掩膜，继续刻蚀释放结构，完成制备。

7.如权利要求6所述的静电致动器的制备方法，其特征在于， 所述硅片为双/单抛型硅片，厚度为400±10微米。

8.如权利要求6所述的静电致动器的制备方法，其特征在于， 步骤S3中，采用粒子注入或扩散工艺进行掺杂。