[发明专利]一种高质量的热解BN坩埚及其制备方法无效
| 申请号: | 200910237344.3 | 申请日: | 2009-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN101844752A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
| 发明(设计)人: | 何军舫;邱克强;房明浩;刘艳改;黄朝晖 | 申请(专利权)人: | 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;何军舫 |
| 主分类号: | C01B21/064 | 分类号: | C01B21/064 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 101101 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 质量 bn 坩埚 及其 制备 方法 | ||
1.本发明涉及一种高质量的热解BN坩埚及其制备方法,其特征在于:先制备得到热解BN基体;然后对制备得到的热解BN基体表面进行处理;再然后在经过表面处理后的热解BN基体上生长制备热解BN坩埚。
2.根据权利要求1所述的高质量的热解BN坩埚,其特征在于热解BN基体的制备方法为:将合适比例的氨气和气态卤化硼引入已加热的炉反应器,在1400-2300℃温度范围内在某基体上进行热解沉积,获得壁厚为0.05-1mm的热解BN基体。
3.根据权利要求1所述的高质量的热解BN坩埚,其特征在于制备热解BN基体所选用的基体可以是石墨、Si3N4陶瓷、SiC陶瓷、Al2O3陶瓷、ZrO2陶瓷,以及其它致密耐高温材料。
4.根据权利要求1所述的高质量的热解BN坩埚,其特征在于热解BN基体表面的处理工艺可以选用以下一步或几步:
(1)采用车削、铣削、磨削等机加工方法加工到所需的外形尺寸;
(2)对热解BN基体表面进行机械抛光处理到所需的外形尺寸;
(3)对热解BN基体表面进行化学抛光处理到所需的外形尺寸。
5.根据权利要求1所述的高质量的热解BN坩埚,其特征在于热解BN坩埚的制备方法为:将合适比例的氨气和气态卤化硼引入已加热的炉反应器,在1400-2300℃温度范围内在表面处理后的热解BN基体上进行热解沉积,可以获得壁厚为0.3-5mm的热解BN坩埚。其特征在于该热解BN坩埚的沉积生长方式是同质外延生长。
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