[发明专利]一种高质量的热解BN坩埚及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910237344.3 申请日: 2009-11-16
公开(公告)号: CN101844752A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 何军舫;邱克强;房明浩;刘艳改;黄朝晖 申请(专利权)人: 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;何军舫
主分类号: C01B21/064 分类号: C01B21/064
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101101 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 质量 bn 坩埚 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.本发明涉及一种高质量的热解BN坩埚及其制备方法,其特征在于:先制备得到热解BN基体;然后对制备得到的热解BN基体表面进行处理;再然后在经过表面处理后的热解BN基体上生长制备热解BN坩埚。

2.根据权利要求1所述的高质量的热解BN坩埚,其特征在于热解BN基体的制备方法为:将合适比例的氨气和气态卤化硼引入已加热的炉反应器,在1400-2300℃温度范围内在某基体上进行热解沉积,获得壁厚为0.05-1mm的热解BN基体。

3.根据权利要求1所述的高质量的热解BN坩埚,其特征在于制备热解BN基体所选用的基体可以是石墨、Si3N4陶瓷、SiC陶瓷、Al2O3陶瓷、ZrO2陶瓷,以及其它致密耐高温材料。

4.根据权利要求1所述的高质量的热解BN坩埚,其特征在于热解BN基体表面的处理工艺可以选用以下一步或几步:

(1)采用车削、铣削、磨削等机加工方法加工到所需的外形尺寸;

(2)对热解BN基体表面进行机械抛光处理到所需的外形尺寸;

(3)对热解BN基体表面进行化学抛光处理到所需的外形尺寸。

5.根据权利要求1所述的高质量的热解BN坩埚,其特征在于热解BN坩埚的制备方法为:将合适比例的氨气和气态卤化硼引入已加热的炉反应器,在1400-2300℃温度范围内在表面处理后的热解BN基体上进行热解沉积,可以获得壁厚为0.3-5mm的热解BN坩埚。其特征在于该热解BN坩埚的沉积生长方式是同质外延生长。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;何军舫,未经北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;何军舫许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910237344.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top