[发明专利]一种硅片的刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910236244.9 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102044429A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 朱哲渊 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 刻蚀 方法 | ||
1.一种硅片的刻蚀方法，其特征在于，包括：
在刻蚀工艺中产生副产物的刻蚀步骤后，增加在预定的上电极功率、下电极功率和压强的条件下，降低刻蚀气体的流量并增加惰性气体的过渡步骤；
在所述过渡步骤之后，去除所述刻蚀气体，并使用所述惰性气体进行冲刷，将刻蚀工艺过程中产生的工艺副产物和刻蚀中腔室壁中颗粒被等离子体轰击后悬浮在等离子体中的颗粒带走。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡步骤中预定的上电极功率为200W～300W。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡步骤中预定的下电极功率为0W。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡步骤中预定的压强与所述产生副产物的刻蚀步骤中的压强一致。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述过渡步骤中，所述降低刻蚀气体的流量具体为：将刻蚀气体的流量降低为所述产生副产物的刻蚀步骤中刻蚀气体流量的1/2～1/3。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡步骤中惰性气体的流量为50～200sccm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡步骤持续的时间为3～7s。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述过渡步骤中去除O2的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除原刻蚀气体，并使用惰性气体进行冲刷的过程中，维持所述过渡步骤的上电极功率、下电极功率、压强和惰性气体的流量。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除刻蚀气体，并使用惰性气体进行冲刷的过程持续的时间为10～20s。
11.根据权利要求1至10任一项所述的方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为浅沟槽隔离工艺或回刻工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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