[发明专利]有序排列的弯折硅纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种有序排列的弯折硅纳米线阵列的制备方法，包括下述步骤：

1)将刻蚀液置于耐氢氟酸腐蚀的容器中，然后将<111>晶向单晶硅片经过清洗，浸没于所述刻蚀液中，封闭容器；其中，所述刻蚀液由硝酸银、氢氟酸和去离子水组成，所述刻蚀液中银离子的浓度为0.01-0.04mol/L，氢氟酸的浓度为1-5mol/L；

2)将所述容器置于恒温水浴中，使所述硅片和刻蚀液反应，反应结束后，取出硅片，在所述硅片表面得到有序排列的弯折硅纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述<111>晶向单晶硅片为下述任意一种：

1)抛光处理后具有光滑表面的<111>晶向单晶硅片；

2)未经过抛光处理的具有粗糙表面的<111>晶向单晶硅片；

3)表面由若干平整光滑区域和若干粗糙区域组成的<111>晶向单晶硅片。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述<111>晶向单晶硅片为抛光处理后具有平整表面的<111>晶向单晶硅片，所述步骤2)中所述反应的反应温度高于45℃，优选为50℃。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述<111>晶向单晶硅片为未经过抛光处理的具有粗糙表面的<111>晶向单晶硅片，所述步骤2)中所述反应的反应温度为不低于15℃，优选15-75℃。

5.根据权利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：步骤2)中所述反应的反应时间为20-60分钟，优选为40分钟。

6.根据权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于：所述刻蚀液中银离子的浓度为0.04mol/L，氢氟酸的浓度为4.6mol/L。

7.根据权利要求1-4所述的方法，其特征在于：所述<111>晶向单晶硅片为n型<111>硅片或p型<111>硅片。

8.根据权要求1-5中任一所述的方法，其特征在于：所述<111>晶向单晶硅片的清洗方法如下：将所述<111>晶向单晶硅片先用铬酸洗液浸泡除去硅片表面有机污染物，然后使用质量浓度5％-15％的氢氟酸水溶液处理10-30分钟，最后用去离子水冲洗。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述铬酸洗液由5克重铬酸钾、100ml浓硫酸和10ml水配制而成。

10.根据权利要求1-9中任一所述的方法，其特征在于：所述方法还包括：在步骤2)后，使用王水将所述硅片表面残留的银粒子去除，并将硅片用去离子水冲洗、晾干的步骤。