[发明专利]单层电极薄膜体声波谐振器结构及其制造方法

权利要求书

1.单层电极薄膜体声波谐振器结构，其特征在于，在衬底上制作压电薄膜， 声波反射层形成在衬底里或衬底与压电薄膜之间；两个单独的电极组成的单层电 极经过金属溅射、刻蚀形成在压电薄膜上，电极的形状包括叉指式、长条式、圆 形电极结构。

2.单层电极薄膜体声波谐振器结构的制造方法，其特征在于，包括以下步 骤：

(1)制备衬底；

(2)制备声波反射层：所述声波反射层的结构为布拉格反射结构或气隙结 构；其中，布拉格反射结构形成在衬底之上、压电薄膜之下，气隙结构是指通过 半导体微加工工艺和牺牲层技术形成的衬底里的气隙或衬底与压电薄膜之间的 气隙；

(3)制备压电薄膜：将压电薄膜制作在布拉格反射结构之上，或将压电薄 膜制作在内有气隙结构的衬底之上，或将压电薄膜制作在形成于衬底与所述压电 薄膜之间的气隙结构之上；

(4)电极制备：在压电薄膜上溅射一层金属，经过刻蚀得到所需的叉指式 或长条式电极结构。

3.根据权利要求2所述的单层电极薄膜体声波谐振器结构的制造方法，其 特征在于，所述衬底包括半导体单晶硅、二氧化硅、多晶硅、非晶硅、砷化镓、 有机玻璃，或者为带抛光钝化层的管芯且管芯和所述声波谐振器之间采用通孔技 术实现垂直互联。

4.根据权利要求2所述的单层电极薄膜体声波谐振器结构的制造方法，其 特征在于，所述电极采用的金属材料包括铜、铝、钨、铂、钽、钌、钼以及上述 材料组成的堆叠结构。