[发明专利]一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法无效
| 申请号： | 200910234467.1 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101722155A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王立建;王栩生;朱冉庆;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司;阿特斯光伏科技(苏州)有限公司;阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司;阿特斯光伏电子(常熟)有限公司;常熟阿特斯太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/00 | 分类号： | B08B3/00;B08B3/12;B08B3/08;B08B3/02;B08B3/04;C11D7/04;C11D7/08 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 腐蚀 氮化 硅掩膜 浆料 清洗 方法 | ||
1.一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在氨水溶液中超声清洗；
(2)在纯水中超声清洗至少2次；
(3)在稀盐酸溶液中超声清洗；
(4)纯水喷淋；
(5)循环纯水浸渍。
2.根据权利要求1所述的用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于：所述步骤(1)中氨水的浓度为2～15％，其超声清洗时间为30～240秒。
3.根据权利要求1所述的用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于：所述步骤(2)中每次超声清洗时间为120～600秒。
4.根据权利要求1所述的用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于：所述步骤(3)中稀盐酸的浓度为1～5％，其超声清洗时间为120～600秒。
5.根据权利要求1所述的用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于：所述步骤(4)的纯水喷淋时间为30～90秒。
6.根据权利要求1所述的用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于：所述步骤(5)的循环纯水浸渍的时间为60～300秒。
7.根据权利要求1所述的用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于：所述步骤(1)至步骤(3)中的超声波频率为30～60KHz。
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