[发明专利]多晶硅碳头料的硅碳分离方法

权利要求书

1.多晶硅碳头料的硅碳分离方法，包括硅碳分离、清洗和表面处理步骤，其特征是：

所述硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100∶(50-200)比例将碳头料装入网袋后放入分离液中，在密闭或通风条件下进行混合并充分浸泡0.5-8小时；

所述表面处理步骤为将经清洗步骤水洗后去除石墨的多晶硅放入质量浓度5-10％的液碱溶液中浸泡5-10分钟，之后用质量浓度5-20％的分析纯盐酸溶液清洗1-5分钟，再用去离子水冲洗至表面pH在5.0-7.0，即可完全实现多晶硅和石墨的分离；

所述分离液是由质量浓度50-96％的硝酸和质量浓度30-98％的硫酸按1∶(0.5-5)的重量比例加入并混合均匀而成。

2.多晶硅碳头料的硅碳分离方法，包括硅碳分离、清洗和表面处理步骤，其特征是：

所述硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100∶(50-200)比例将碳头料装入网袋后放入分离液中，在密闭或通风条件下进行混合并充分浸泡0.5-8小时；

所述表面处理步骤为将经清洗步骤水洗后去除石墨的多晶硅放入质量浓度5-10％的液碱溶液中浸泡5-10分钟，之后用质量浓度5-20％的分析纯盐酸溶液清洗1-5分钟，再用去离子水冲洗至表面pH在5.0-7.0，即可完全实现多晶硅和石墨的分离；

所述分离液是质量浓度50-96％的硝酸和质量浓度30-98％的硫酸按1∶(0.5-5)的重量比例加入，还加入占分离液总重量0.1-1.5％的氯酸钠固体并混合均匀而成。