[发明专利]一种大面积单畴二维胶体晶体的制备方法无效
| 申请号： | 200910232604.8 | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101717994A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王振林;孙洁;詹鹏;韩振绿 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B28/00 | 分类号： | C30B28/00;C30B29/64;B05C3/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 二维 胶体 晶体 制备 方法 | ||
1.一种大面积单畴二维胶体晶体的制备方法，其特征在于该制备方法包括以下步 骤：
(1)将第一衬底(1)和第二衬底(2)按一定角度放置并固定，该角度为1°～5°， 形成一个楔形微腔，所述第一衬底(1)和第二衬底(2)为石英衬底；
(2)将单分散胶体微球的悬浊液注入楔形微腔内，所述单分散胶体微球的材料为 二氧化硅或者聚苯乙烯，单分散胶体微球的直径在200nm～10μm之间，单分散胶体 微球的尺寸的单分散性小于5％；
(3)将楔形微腔静置，楔形微腔内的液体蒸发，单分散胶体微球在毛细力作用的 驱动下在液体干燥界面与衬底的接触线处发生自组织，形成有序结构；
(4)当液体完全蒸发后，将装置拆开，在第一衬底(1)和第二衬底(2)上得到 大面积单畴二维胶体晶体。
2.根据权利要求1所述的一种大面积单畴二维胶体晶体的制备方法，其特征在于： 所述第一衬底(1)和第二衬底(2)为平整衬底或者为具有一维周期性起伏的图案衬底。
3.根据权利要求1所述的一种大面积单畴二维胶体晶体的制备方法，其特征在于： 所述液体干燥界面与第一衬底(1)和第二衬底(2)的接触线为平行于两衬底的交线的 直线。
4.根据权利要求1所述的一种大面积单畴二维胶体晶体的制备方法，其特征在于： 所述单畴二维胶体晶体单畴有序面积可以突破厘米尺度，单畴二维胶体晶体的结构参数 由液体的干燥前沿和衬底的结构共同决定。
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