[发明专利]三嗪类光电功能材料及制备和应用方法无效

专利信息
申请号: 200910232492.6 申请日: 2009-11-27
公开(公告)号: CN101717396A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 黄维;安众福;陈润锋;史慧芳;马琮 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: C07D409/14 分类号: C07D409/14;C07D403/14;C07D251/24;C08G61/12;C09K11/06;H01L51/54
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 叶连生
地址: 210003 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 三嗪类 光电 功能 材料 制备 应用 方法
【权利要求书】:

1.一种三嗪类光电功能材料,其特征在于该材料具有如下结构通式:

式中:a为1~30中的数字,b为0~30中的数字,n1、n2、n3、n4、n5、n6和n7为1~300中的数字。

X1、X2和X3各自独立地选自O、S和N等原子,

A1-A8是选自取代或未取代的C6-C30的亚芳基和取代或未取代的C6-C30的杂芳基之一种或若干种的组合;其中芳基上的修饰基团为各自独立地选自氢、取代或未取代的C1-C30的烷烃、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C2-C30的杂芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C2-C30的杂芳烷基、取代或未取代的C5-C30的芳氧基、取代或未取代的的C2-C30的杂芳氧基、取代或未取代的C3-C30的环烷基和取代或未取代的C2-C30的杂环烷基;出现时相同或者不同,并为具有2至30个碳原子的芳基,其中一个或多个碳原子可以被杂原子Si、P、O、S、N等所取代,一个或多个碳原子上的氢可被氟或氰基取代;其中芳基结构具体为如下结构中的任意一种:

2.根据权利要求1所述的三嗪类光电功能材料,其特征在于该材料中所述的A1-A8中的芳基单元是选自下图所示的基团之一或若干种的组合:

其中,各个符号具体如下含义:

X为Si、P、O、S、N;

n为1-10间的数字。

3.根据权利要求1所述的三嗪类光电功能材料,其特征在于该材料中A1-A8中芳基的修饰单元分别选自氢或正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正十二烷基、正十四烷基、正十八烷基、2-乙基己基、正壬基或正葵基或正辛氧基链中的一种。

4.一种如权利要求1所述的三嗪类光电功能材料的制备方法,其特征在于三嗪类材料单体的合成和该类单体通过Suzuki缩合反应和Grignard反应制备前述化合物材料;其中Suzuki缩合反应条件为Ph(PPh3)4/K2CO3/甲苯或Ph(dba)2/CsF/Ph3P/1,2-二甲氧基乙烷,Grignard反应条件为Mg/I2/THF/催化剂。

三嗪类单体合成路线如下:

催化剂A包括Ph(PPh3)4、Ni(dppf)Cl2、Pd(dppf)Cl2和Pd(AcO)2

5.根据权利要求4所述三嗪类光电功能材料的制备方法,其特征在于所述的Suzuki缩合反应方法如下:

6.一种如权利要求1所述的三嗪类光电功能材料的应用方法,其特征在于作为发光二极管器件材料或化学荧光传感材料,其中发光二极管器件的结构为透明阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极,其中,采用三嗪类多极光电功能材料作为空穴传输层或发光层,或者作为发光层的主体材料;作为化学荧光传感材料主要用于阳离子或阴离子得检测。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910232492.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top