[发明专利]三嗪类光电功能材料及制备和应用方法无效
| 申请号: | 200910232492.6 | 申请日: | 2009-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN101717396A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
| 发明(设计)人: | 黄维;安众福;陈润锋;史慧芳;马琮 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
| 主分类号: | C07D409/14 | 分类号: | C07D409/14;C07D403/14;C07D251/24;C08G61/12;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 叶连生 |
| 地址: | 210003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 三嗪类 光电 功能 材料 制备 应用 方法 | ||
1.一种三嗪类光电功能材料,其特征在于该材料具有如下结构通式:
式中:a为1~30中的数字,b为0~30中的数字,n1、n2、n3、n4、n5、n6和n7为1~300中的数字。
X1、X2和X3各自独立地选自O、S和N等原子,
A1-A8是选自取代或未取代的C6-C30的亚芳基和取代或未取代的C6-C30的杂芳基之一种或若干种的组合;其中芳基上的修饰基团为各自独立地选自氢、取代或未取代的C1-C30的烷烃、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C2-C30的杂芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C2-C30的杂芳烷基、取代或未取代的C5-C30的芳氧基、取代或未取代的的C2-C30的杂芳氧基、取代或未取代的C3-C30的环烷基和取代或未取代的C2-C30的杂环烷基;出现时相同或者不同,并为具有2至30个碳原子的芳基,其中一个或多个碳原子可以被杂原子Si、P、O、S、N等所取代,一个或多个碳原子上的氢可被氟或氰基取代;其中芳基结构具体为如下结构中的任意一种:
2.根据权利要求1所述的三嗪类光电功能材料,其特征在于该材料中所述的A1-A8中的芳基单元是选自下图所示的基团之一或若干种的组合:
其中,各个符号具体如下含义:
X为Si、P、O、S、N;
n为1-10间的数字。
3.根据权利要求1所述的三嗪类光电功能材料,其特征在于该材料中A1-A8中芳基的修饰单元分别选自氢或正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正十二烷基、正十四烷基、正十八烷基、2-乙基己基、正壬基或正葵基或正辛氧基链中的一种。
4.一种如权利要求1所述的三嗪类光电功能材料的制备方法,其特征在于三嗪类材料单体的合成和该类单体通过Suzuki缩合反应和Grignard反应制备前述化合物材料;其中Suzuki缩合反应条件为Ph(PPh3)4/K2CO3/甲苯或Ph(dba)2/CsF/Ph3P/1,2-二甲氧基乙烷,Grignard反应条件为Mg/I2/THF/催化剂。
三嗪类单体合成路线如下:
催化剂A包括Ph(PPh3)4、Ni(dppf)Cl2、Pd(dppf)Cl2和Pd(AcO)2。
5.根据权利要求4所述三嗪类光电功能材料的制备方法,其特征在于所述的Suzuki缩合反应方法如下:
6.一种如权利要求1所述的三嗪类光电功能材料的应用方法,其特征在于作为发光二极管器件材料或化学荧光传感材料,其中发光二极管器件的结构为透明阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极,其中,采用三嗪类多极光电功能材料作为空穴传输层或发光层,或者作为发光层的主体材料;作为化学荧光传感材料主要用于阳离子或阴离子得检测。
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