[发明专利]悬浮方阴型高角栅控结构的平板显示器及其制作工艺无效
申请号: | 200910227346.4 | 申请日: | 2009-12-08 |
公开(公告)号: | CN101728187A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 李玉魁 | 申请(专利权)人: | 中原工学院 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J29/02;H01J9/00;H01J9/02 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 41102 | 代理人: | 亢志民 |
地址: | 451191 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 悬浮 方阴型高角栅控 结构 平板 显示器 及其 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作,特别涉及一种悬浮方阴型高角栅控结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
随着平板显示技术的发展,平板显示器件已经走入了人们的视野。用完全平面装置来显示图像,具有图像不会失真的优越特性。目前的主流显示设备中,以液晶显示器和等离子体显示器为代表,但各有其优缺点。场致发射显示器是一款优良的显示设备,它不仅保留了CRT显示器的高质量图像优点,克服了其笨重、体积庞大等缺点,同时把液晶显示器的薄型化、等离子体显示器的大面积性等优点集于一身,是理想的下一代显示市场产品。应用碳纳米管作为阴极材料,进行了各种结构的场致发射显示器的研究和开发,并取得了一定的进展。但是在目前所研发的三极结构场致发射显示器件中,普遍都存在着栅极工作电压过高,栅极电流过大等缺陷,同时,由于栅极结构的制作工艺过于复杂,对栅极结构制作材料的要求也过于苛刻,由此造成整体器件制作成本居高不下,这些都是不可回避的问题,也是急需解决的现实问题。而对于碳纳米管阴极的制作工艺以及制作结构也没有一个令人满意的方案,都还需要进行大量的研究和开发。此外,对于整体平板显示器件的制作,制作工艺简单、制作过程稳定可靠也是不可忽视的一个重要方面。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种制作工艺简单、制作过程稳定可靠、成本低廉的悬浮方阴型高角栅控结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的:
一种悬浮方阴型高角栅控结构的平板显示器,包括由阴极玻璃面板1、阳极玻璃面板21和玻璃边框18所构成的密封真空室;设置在阳极玻璃面板上的阳极引流层20、阳极连接层22、阳极覆盖层19以及制备在阳极引流层上面的发光层23;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的隔离器16和消气剂17;其特征在于:
所述的悬浮方阴型高角栅控结构的基底材料为阴极玻璃面板;在阴极玻璃面板上印刷并烧结的绝缘浆料形成阴极阻挡层2;阴极阻挡层上面存在阴极底层3;阴极底层的周围存在阴极连接层4,阴极底层和阴极连接层是相互连通的;阴极底层的上面存在阴极增强层5;阴极增强层呈现类半球型形状,其上下表面均为平面,下表面和阴极底层相接触,上表面的直径为下表面直径的六分之一,且二者的圆心均位于垂直于阴极增强层下表面的同一垂直线上,阴极增强层的侧面呈现半球型表面;阴极增强层上面存在阴极平移层6,阴极平移层呈现正方型形状,其正方型形状的中心与阴极增强层上表面的圆心相重合;阴极平移层正方型形状的边长大于阴极增强层上表面的直径,但小于阴极增强层下表面的直径,即阴极平移层的中间部分由阴极增强层上表面来支撑,但四周部分呈现悬空状态;阴极平移层上面存在阴极过渡层7,阴极过渡层布满阴极平移层的上表面;阴极过渡层的上面存在阴极牺牲层8,阴极牺牲层布满阴极过渡层的上表面;阴极底层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成阻滞一层9;阻滞一层的上下表面均为平面,其下表面和阴极底层相接触;阻滞一层中存在方形电子束孔,暴露出下面的部分阴极底层、阴极增强层、阴极平移层、阴极过渡层、阴极牺牲层;阻滞一层上面存在栅极引流一层10,栅极引流一层的前端延伸到方型电子束孔中,呈现悬空状态;栅极引流一层的周围存在栅极连接层11,栅极连接层和栅极引流一层是相互连通的;阻滞一层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成阻滞二层12,阻滞二层覆盖栅极引流一层和栅极连接层;阻滞二层的上下表面均为平面,其下表面和阻滞一层的上表面相接触,阻滞二层中方型电子束孔侧壁呈现向内凹陷的斜坡面,斜坡面的末端截止于阻滞二层的下表面,且和阻滞二层上表面处方型电子束孔的边缘相重合,斜坡面的首端截止于阻滞二层的上表面;阻滞二层中方型电子束孔的斜坡面上存在栅极引流二层13,栅极引流二层布满阻滞二层中方型电子束孔侧壁的斜坡面,且和栅极引流一层是相互连通的;阻滞二层上面印刷并烧结的绝缘浆料形成阻滞三层14;阻滞三层覆盖栅极引流二层和阻滞二层;碳纳米管15制备在阴极牺牲层的上面。
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