[发明专利]传热装置、电子设备和传热装置制造方法无效
| 申请号: | 200910226489.3 | 申请日: | 2009-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN101738117A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
| 发明(设计)人: | 桥本光生;矢泽和明;石田祐一;良尊弘幸 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | F28D15/02 | 分类号: | F28D15/02;B23P15/26;H05K7/20 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传热 装置 电子设备 制造 方法 | ||
1.一种传热装置,包括:
由碳纳米管制成的蒸发部分,所述蒸发部分在表面上形成有V形 槽;
与所述蒸发部分连通的流路;
通过所述流路与所述蒸发部分连通的冷凝器部分;以及
工作流体,所述工作流体在所述蒸发部分中从液相蒸发为气相, 并且在所述冷凝器部分中从气相凝聚为液相。
2.根据权利要求1所述的传热装置,
其中,所述V形槽中的每一个都具有底角2θ和宽度a,其中10° ≤2θ≤130°,所述底角2θ和所述宽度a的关系为a≤11×2θ+50且a ≥0.3×2θ+1,其中,2θ的单位为度,a的单位为μm。
3.根据权利要求1所述的传热装置,
其中,所述V形槽以同心状、放射状的方式设置在所述蒸发部分 的表面上。
4.根据权利要求1所述的传热装置,
其中,所述V形槽以螺旋状、放射状的方式设置在所述蒸发部分 的表面上。
5.根据权利要求1所述的传热装置,
其中,所述蒸发部分的背面和每一个所述V形槽的底部之间的距 离是1μm或更大。
6.根据权利要求1所述的传热装置,
其中,所述蒸发部分的表面具有亲水性。
7.一种电子设备,包括:
热源;以及
热连接到所述热源的传热装置,所述传热装置包括由碳纳米管制 成的蒸发部分、与所述蒸发部分连通的流路、通过所述流路与所述蒸 发部分连通的冷凝器部分、以及工作流体,其中,所述蒸发部分在表 面上形成有V形槽,所述工作流体在所述蒸发部分中从液相蒸发为气 相,并且在所述冷凝器部分中从气相凝聚为液相。
8.一种传热装置制造方法,包括:
在构成蒸发部分的基底上形成催化剂层;
在所述催化剂层上形成碳纳米管层;以及
通过车刀加工和挤压模制之一,在所述碳纳米管层上形成V形 槽。
9.根据权利要求8所述的传热装置制造方法,
其中,在所述碳纳米管层上形成所述V形槽,从而使得所述催化 剂层和每一个所述V形槽的底部之间的距离为1μm或更大。
10.根据权利要求8所述的传热装置制造方法,还包括:
对所述碳纳米管层的表面进行亲水处理。
11.一种传热装置制造方法,包括:
在构成蒸发部分的基底上形成催化剂层;以及
使反应气体在设置有模具和所述催化剂层的所述基底之间流动, 以形成在表面上具有V形槽的碳纳米管层。
12.根据权利要求11所述的传热装置制造方法,还包括:
对所述碳纳米管层的表面进行亲水处理。
13.一种传热装置制造方法,包括:
在构成蒸发部分的基底上形成V形槽;
在所述基底上形成催化剂层;并且
在所述催化剂层上形成碳纳米管层。
14.根据权利要求13所述的传热装置制造方法,还包括:
对所述碳纳米管层的表面进行亲水处理。
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