[发明专利]单片集成开关型调节器的倒装封装装置及其封装方法

权利要求书

1.一种单片集成开关型调节器的倒装封装装置，其特征在于，包括

一单片集成电压调节器，其中晶体管器件并联布置，所述晶体管具有漏极和源极端子；

设置在单片集成电压调节器上的一组凸块，用以连接所述源极和漏极端子；

具有一组交叉指状引脚的单层引线框架，所述单层引线框架通过所述一组凸块连接到所述单片集成电压调节器，所述单层引线框架包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一图案以连接到所述一组凸块，所述第二表面包括第二图案，所述第二图案与第一图案不同；

倒装片封装结构，其将所述单片集成电压调节器、所述一组凸块和所述单层引线框架进行封装，所述倒装片封装结构在所述单层引线框架的所述第二表面上具有所述单片集成电压调节器的外部连接部分；

指状引脚包含较厚的部分和较薄的部分，较厚的部分和较薄的部分的第一表面均连接所述一组凸块；引线框架的第二表面的较厚的部分裸露表面在封装的外围边缘；

所述单层引线框架具有中间引线和外围引线，在连接凸块的第一表面上，所述中间引线和外围引线以交叉的方式设置，中间引线可延伸至引线框的边缘，外部外围引线可延伸至中间区域，与晶片部分重叠。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述一组交叉指状引脚与所述单片集成电压调节器的有源区域部分重叠。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述晶体管为横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括印刷电路板(PCB)，所述印刷电路板连接到所述第二表面的所述外部连接部分。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述倒装片封装为方形扁平无引脚封装(QFN)或者双排平面无引脚封装(DFN)其中之一。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述一组凸块为铜柱状凸块、锡凸块、化镍浸金方法制造的凸块其中之一。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述一组凸块按矩阵排列。

8.根据权利要求1-7任一项所述的装置，其特征在于，所述单片集成电压调节器为开关型调节器。

9.一种单片集成电压调节器的封装方法，其特征在于，包括：

(1)将所述单片集成电压调节器上的一组凸块连接到单片集成电压调节器中的晶体管的源极和漏极端子；

(2)通过一组凸块将单层引线框架的第一表面连接到单片集成电压调节器，所述第一表面具有第一图案，所述单层引线框架包括所述第一表面和第二表面，所述单层引线框架具有一组交叉的指状引脚，指状引脚包含较厚的部分和较薄的部分，较厚的部分和较薄的部分的第一表面均连接所述一组凸块，所述单层引线框架具有中间引线和外围引线，在连接凸块的第一表面上，所述中间引线和外围引线以交叉的方式设置，中间引线可延伸至引线框的边缘，外部外围引线可延伸至中间区域，与晶片部分重叠；

(3)使用倒装片法将单片集成电压调节器、所述一组凸块和所述单层引线框架进行封装；

(4)使用所述单层引线框架的裸露的第二表面作为所述倒装片封装内的所述单片集成电压调节器的外部连接部分，所述第二表面具有第二图案，所述第二图案与所述第一图案不同。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述一组交叉指状引脚与所述单片集成电压调节器的有源区域部分重叠。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括使用印刷电路板(PCB)连接到所述第二表面的所述外部连接部分。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述一组凸块为铜柱状凸块、锡凸块、化镍镀金方法制造的凸块其中之一。

13.根据权利要求9-12任一项所述的方法，其特征在于，所述单片集成电压调节器为开关型调节器。

14.一种电压调节器装置，其特征在于，包括：

使用单层引线框架的第一表面和单片集成电压调节器上的一组凸块连接到单片集成电压调节器的装置，所述第一表面具有第一图案，所述单层引线框架包括所述第一表面和第二表面，所述单层引线框架具有一组交叉指状引脚，以使所述单层引线框架连接到所述一组凸块；

一封装装置，用于将所述单片集成电压型调节器、所述一组凸块、所述单层引线框架封装到一倒装片封装装置；

使用所述单层引线框架的裸露的第二表面连接到倒装片封装内的所述单片集成电压调节器的外部连接部分，所述第二表面具有第二图案，所述第二图案与所述第一图案不同；

指状引脚包含较厚的部分和较薄的部分，较厚的部分和较薄的部分的第一表面均连接所述一组凸块；

所述单层引线框架具有中间引线和外围引线，在连接凸块的第一表面上，所述中间引线和外围引线以交叉的方式设置，中间引线可延伸至引线框的边缘，外部外围引线可延伸至中间区域，与晶片部分重叠。