[发明专利]用于液晶显示器的薄膜晶体管有效
| 申请号: | 200910225196.3 | 申请日: | 2001-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN101819971A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
| 发明(设计)人: | 金东奎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/82;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 液晶显示器 薄膜晶体管 | ||
1.一种用于液晶显示器的薄膜晶体管,包括:
在基板上形成的栅极布线,该基板包括显示区和位于显示区外部的缓冲 区,该栅极布线沿第一方向延伸;
形成在栅极布线和基板上的栅极绝缘膜,用于部分露出栅极布线;
形成在栅极绝缘膜上的有源构图;
与有源构图部分交叠的数据布线,数据布线形成在栅极绝缘膜上且在基 本垂直于第一方向的第二方向上延伸;
形成在数据布线和栅极绝缘膜上的有机钝化膜构图,所述有机钝化膜构 图包括部分显露数据布线的第一通孔和部分显露栅极布线的第二通孔;
像素电极,形成在有机钝化膜构图上且经第一通孔与数据布线连接;
缓冲电极,形成在有机钝化膜构图上且经第二通孔与栅极布线连接;
位于缓冲区并由与栅极布线相同的层形成的数据缓冲层;
形成在有机钝化膜构图上的桥电极,该桥电极经穿过数据布线端部上的 有机钝化膜构图形成的第三通孔和在数据缓冲层上栅极绝缘膜和有机钝化 膜构图二者处形成的第四通孔将数据布线与数据缓冲层电连接,
其中,数据布线在第一通孔中包括布置在数据布线的表面上的台阶部 分,台阶部分从第一通孔的底部边缘突出,以及
其中,栅极绝缘膜从第四通孔的侧壁突出。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,栅极绝缘膜自第二 通孔的侧壁延伸。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,栅极布线包括包含 形成在显示区内的栅电极的栅极线,和形成在缓冲区的栅极缓冲层,栅极缓 冲层连接到栅极线端部并且第二通孔形成在栅极缓冲层上。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,数据布线包括与有 源构图的第一区重叠的第一电极和与有源构图的第二区重叠的第二电极,第 二区与第一区相对,且第一通孔形成在第一电极上。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其中该桥电极由与像素电极相同 的层形成。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,有机钝化膜构图在 显示区具有不规则的上表面。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,像素电极还包括双 层结构,该双层结构包括一个透明电极和一个反射电极。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管,其特征在于,缓冲电极由单层透 明电极制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





