[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，其特征在于，

具备锁相环和控制单元，

上述锁相环包括相位频率比较器、环路滤波器、压控振荡器以及分频器，

能够分别向上述相位频率比较器的一个输入端子和另一个输入端子供给基准信号和来自上述分频器的输出的反馈信号，

上述相位频率比较器的输出经由上述环路滤波器而被供给至上述压控振荡器的控制输入，上述压控振荡器的输出的振荡输出信号被供给至上述分频器的输入，上述压控振荡器的上述振荡输出信号的频率能够响应被供给至上述控制输入的控制电压来进行控制，

上述压控振荡器包括电压电流转换器和环形振荡器，

上述环形振荡器具有奇数级的延迟电路，

上述电压电流转换器响应上述控制电压来生成控制电流，利用上述控制电流对上述环形振荡器的上述奇数级的延迟电路的各工作电流进行设定，

上述控制单元能够将上述锁相环在校准工作期间和通常工作期间之间进行切换，

在上述通常工作期间，通过上述控制单元将上述锁相环控制为闭环，而在上述校准工作期间，通过上述控制单元将上述锁相环控制为开环，

在上述通常工作期间，在上述闭环的上述锁相环中，上述相位频率比较器的上述输出经曲上述环路滤波器而被供给至上述压控振荡器的上述控制输入来作为预定电平的上述控制电压，据此，上述压控振荡器的上述振荡输出信号的上述频率被作为由上述基准信号的频率和上述分频器的分频数确定决定的预定频率，

在上述校准工作期间，上述控制单元执行以下状态的上述压控振荡器的上述振荡输出信号的上述频率的测量，该状态为在上述开环的上述锁相环中向上述压控振荡器的上述控制输入供给了其电平与上述预定电平的上述控制电压大致相等的基准电压的状态，

上述控制单元对上述压控振荡器的上述电压电流转换器的第一工作参数的值进行设定，使得在执行上述频率的上述测量的期间向上述压控振荡器供给了上述基准电压的状态下的上述压控振荡器的上述振荡输出信号的上述频率与上述预定频率大致相等。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

上述锁相环还包括被上述控制单元控制的选择器，

上述选择器在上述通常工作期间选择上述预定电平的上述控制电压，而在上述校准工作期间选择上述基准电压，并且将所选择的电压供给至上述压控振荡器的上述控制输入。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，

在上述校准工作期间，在上述电压电流转换器的上述第一工作参数的值被设定之前，上述控制单元执行以下状态的上述压控振荡器的上述振荡输出信号的上述频率的测量，该状态为向上述开环的上述锁相环的上述压控振荡器的上述控制输入供给了接地电位电平的上述控制电压的状态，

在上述校准工作期间，在上述电压电流转换器的上述第一工作参数值被设定之前，上述控制单元对上述压控振荡器的上述电压电流转换器的第二工作参数的值进行设定，使得在执行上述测量的期间向上述压控振荡器供给了上述接地电位电平的上述控制电压的状态下的上述振荡输出信号的上述频率与预定的偏移频率大致相等。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，

在上述校准工作期间，在上述电压电流转换器的上述第一工作参数的值被设定之前，上述选择器向上述开环的上述锁相环的上述压控振荡器的上述控制输入供给上述接地电位电平的上述控制电压。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于，

在上述校准工作期间，在上述压控振荡器的上述电压电流转换器的上述第二工作参数的值被设定之后，上述控制单元还执行以下状态的上述压控振荡器的上述振荡输出信号的上述频率的其他测量，该状态为向上述开环的上述锁相环的上述压控振荡器的上述控制输入供给了其电平比上述接地电位电平高且比上述预定电平的上述控制电压低的其他基准电压的状态，

在上述校准工作期间，上述控制单元对上述压控振荡器的上述电压电流转换器的上述第一工作参数的值进行设定，使得在执行上述其他测量的期间向上述压控振荡器供给了上述其他基准电压的状态下的上述振荡输出信号的上述频率与低于上述预定频率的其他预定频率大致相等。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于，

在上述校准工作期间，在上述第二工作参数的值被设定之后，上述选择器将上述其他基准电压供给至上述开环的上述锁相环的上述压控振荡器的上述控制输入。