[发明专利]氮化铝烧结体、其制造方法和使用其的静电卡盘有效

专利信息
申请号: 200910224404.8 申请日: 2009-11-19
公开(公告)号: CN101734924A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 寺谷直美;早濑彻;胜田佑司 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: C04B35/581 分类号: C04B35/581;C04B35/64;H01L21/683
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氮化 烧结 制造 方法 使用 静电 卡盘
【权利要求书】:

1.一种氮化铝烧结体的制造方法,其特征在于,包括:

(a)调制不含钐化合物的混合粉末的工序,该混合粉末含有氮化铝、相 对于氮化铝100重量份的2~10重量份的氧化铕、相对于氧化铕的摩尔比为 2~10的氧化铝和相对于氧化铝的摩尔比为0.05~1.2的氧化钛;

(b)使用所述混合粉末制作成形体的工序;

(c)烧成该成形体时,(1)在真空或惰性气氛下,在1900~1950℃进行 热压烧成,或(2)在真空或惰性气氛下,在1800~1890℃进行热压烧成后, 在1900~1920℃进行退火处理的工序。

2.根据权利要求1所述的氮化铝烧结体的制造方法,其中,所述工序(a) 中,调制所述混合粉末时,相对于100重量份的氮化铝,使用3~5重量份的 氧化铕。

3.由权利要求1或2所述的氮化铝烧结体的制造方法而制造的氮化铝烧 结体。

4.一种氮化铝烧结体,为由权利要求1或2所述的氮化铝烧结体的制造 方法而制造的氮化铝烧结体,其特征在于,

由这样的烧结体构成,即以氮化铝为主要成分,具有与EuAl12O19的峰相 一致的连续化的晶界相,同时具有与TiN的峰相一致的结晶相,不具有含Sm 的结晶相;并且,

500V/mm的室温体积电阻率为1×108Ω·cm以上、1×1012Ω·cm以下,由室 温到300℃的体积电阻率的变化而求出的活化能(Ea)为0.3eV以上、0.5eV 以下。

5.使用权利要求3或4所述的氮化铝烧结体而制作的静电卡盘。

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