[发明专利]厚膜陶瓷复合基板的制造方法

权利要求书

1.一种厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

进行一金属镀膜程序，以形成一金属镀层于一陶瓷基板的表面上；

进行一组装程序以置放一金属板于该陶瓷基板的所述金属镀层的表面上，并形成一组装陶瓷基板；

进行一真空扩散融合程序，以融合所述组装陶瓷基板上的所述金属镀层与该金属板，并形成一厚膜陶瓷复合基板。

2.根据权利要求1所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述金属镀膜程序进一步包含一电镀步骤。

3.根据权利要求1所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述金属镀膜程序进一步包含一溅镀步骤。

4.根据权利要求1所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述真空扩散融合程序在一密闭腔体内进行。

5.根据权利要求4所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述密闭腔体包括一真空系统、一增温系统、一冷却系统与一加压系统。

6.根据权利要求5所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述加压系统进一步包含一石墨夹具。

7.根据权利要求1所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述真空扩散融合程序进一步包括：

进行一第一增温步骤；

进行一恒温步骤；

进行一第二增温步骤；

进行一加压融合步骤；

进行一第一降温步骤；与

进行一第二降温步骤，以强制冷却至室温。

8.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述第一增温步骤需进行60分钟。

9.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述第一增温步骤的操作真空度为10^-3至10^-1Torr。

10.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述恒温步骤需进行30分钟。

11.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述恒温步骤的操作真空度为10^-9至10^-3Torr。

12.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述第二增温步骤需进行30分钟。

13.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述第二增温步骤的操作真空度为10^-9至10^-3Torr。

14.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述加压融合步骤需进行180分钟。

15.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述加压融合步骤操作真空度为10^-9至10^-3Torr。

16.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述第一降温步骤需进行60分钟。

17.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述第一降温步骤的操作真空度为10^-9至10^-3Torr。

18.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述第二降温步骤需进行120分钟。

19.根据权利要求7所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述金属板的材料进一步包含铜。

20.根据权利要求19所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述第一增温步骤的操作温度由室温增温至400℃。

21.根据权利要求19所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述恒温步骤的操作温度维持于400℃。

22.根据权利要求19所述的厚膜陶瓷复合基板的制造方法，其特征在于，所述第二增温步骤由400℃增温至700℃～900℃。