[发明专利]用于堆叠晶片封装体的多晶片构造块

权利要求书

1.一种半导体封装体，该半导体封装体包括：

衬底；

被堆叠的多个多晶片构造块，包括第一多晶片构造块和第二多晶片构造 块，所述第一多晶片构造块和所述第二多晶片构造块被堆叠且相互邻近，其 中每个所述第一和第二多晶片构造块包括：

具有第一表面和第二表面的弯曲条带，每个表面包括多个电迹线；

第一晶片，该第一晶片通过第一组多个互连耦合到所述弯曲条带的 所述第一表面的所述多个电迹线；和

第二晶片，该第二晶片通过第二组多个互连耦合到所述弯曲条带的 所述第二表面的所述多个电迹线；以及

模塑件，该模塑件被置于所述衬底之上，并且包裹所述被堆叠的多个多 晶片构造块，

其中，每个所述第一和第二多晶片构造块的所述弯曲条带的末端耦合到 所述衬底的第一表面。

2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中每个多晶片构造块的所述 弯曲条带的所述末端通过导电粘合剂耦合到所述衬底的所述第一表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装体，该半导体封装体还包括：

在所述衬底的第二表面上的焊锡块阵列，其中所述半导体封装体是球栅 阵列封装体。

4.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中每个多晶片构造块的所述 弯曲条带包括聚酰亚胺材料，并且每个多晶片构造块的所述多个电迹线包括 铜。

5.根据权利要求4所述的半导体封装体，其中在每个多晶片构造块的所 述第一晶片和所述第二晶片之间具有每个多晶片构造块的所述弯曲条带，所 述弯曲条带在所述第一晶片和所述第二晶片之间的厚度约在15-75微米的范 围内，并且其中在每个多晶片构造块的所述第一晶片和所述第二晶片之间具 有每个多晶片构造块的多组所述多个电迹线中的每一组，该多组所述多个电 迹线中的每一组在所述第一晶片和所述第二晶片之间的厚度约在10-20微米 的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中每个多晶片构造块的多组 所述多个互连中的每一组包括金属凸块阵列，并且导电粘合剂散布在每个金 属凸块之间。

7.根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述导电粘合剂是各向异 性导电粘合剂。

8.根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述金属凸块阵列中的每 个阵列中的每个金属凸块包括从包含铜、金和镍的组中选择的金属。

9.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述多个多晶片构造块包 括两个双晶片构造块。

10.一种半导体封装体，该半导体封装体包括：

衬底；

被堆叠的多个多晶片构造块，包括第一多晶片构造块和第二多晶片构造 块，所述第一多晶片构造块和所述第二多晶片构造块被横向布置且至少部分 相互分开，其中每个所述第一和第二多晶片构造块包括：

具有第一表面和第二表面的弯曲条带，每个表面包括多个电迹线；

第一晶片，该第一晶片通过第一组多个互连耦合到所述弯曲条带的 所述第一表面的所述多个电迹线；和

第二晶片，该第二晶片通过第二组多个互连耦合到所述弯曲条带的 所述第二表面的所述多个电迹线；以及

模塑件，该模塑件被置于所述衬底之上，并且包裹所述被堆叠的多个多 晶片构造块，

其中，所述第一多晶片构造块的所述弯曲条带的末端连接到所述第二多 晶片构造块的所述弯曲条带的末端。

11.根据权利要求10所述的半导体封装体，其中所述第二多晶片构造块 的所述弯曲条带的第二末端通过导电粘合剂耦合到所述衬底的第一表面。

12.根据权利要求10所述的半导体封装体，该半导体封装体还包括：

在所述衬底的第二表面上的焊锡块阵列，其中所述半导体封装体是球栅 阵列封装体。

13.根据权利要求10所述的半导体封装体，其中每个多晶片构造块的所 述弯曲条带包括聚酰亚胺材料，并且每个多晶片构造块的多组所述多个电迹 线包括铜。