[发明专利]垂直型半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种垂直型半导体器件。

背景技术

为了满足消费者对于低成本下优异性能的要求，需要半导体器件的高集 成度。在确定产品成本时，存储半导体器件的集成度是重要因素，因此需要 高集成度。在二维或平面存储半导体器件中，集成度显著地受到精细图案形 成技术的水平的影响，因为集成度主要由单位存储单元所占据的面积确定。 然而，由于形成精细图案需要非常高成本的设备，在二维存储半导体器件中 的集成度尽管逐渐增加，但仍是有限的。

发明内容

本发明的实施例提供了一种垂直型半导体器件，其基本克服了现有技术 的一个或多个弱点、局限和/或缺点。

一个实施例的特点是提供一种具有多层结构的垂直型半导体器件。

上述和其他特点和优点中的至少一个可以通过提供如下的垂直型半导 体器件来实现，该垂直型半导体器件包括：在半导体基板上的第一垂直半导 体器件，在所述第一垂直半导体器件上的第二垂直半导体器件；和在所述第 一垂直半导体器件和第二垂直半导体器件之间的互连。

所述互连可以是位线，所述位线可以在所述第一垂直半导体器件和第二 垂直半导体器件中共用。

所述互连可以是公共源极线，所述公共源极线可以在所述第一垂直半导 体器件和第二垂直半导体器件中共用。

所述第一垂直半导体器件可以包括垂直堆叠的第一字线结构和穿过所 述第一字线结构设置的第一半导体结构，所述第二垂直半导体器件可包括垂 直堆叠的第二字线结构和穿过所述第二字线结构设置的第二半导体结构。

所述第一半导体结构和第二半导体结构可以彼此对准。

所述第一半导体结构和第二半导体结构可以彼此偏离。

所述第一字线结构的至少一侧可以具有阶梯型结构，所述第二字线结构 的至少一侧可以具有阶梯型结构。

所述第一字线结构的所述阶梯型结构和所述第二字线结构的所述阶梯 型结构可以设置在所述半导体器件的相对两侧。

所述垂直型半导体器件还可包括至少一个接触插塞，该接触插塞连接到 所述第一字线结构和第二字线结构中至少一个的阶梯型结构。

所述第一垂直半导体器件还可包括第一串选择线结构和第一接地选择 线结构。

第一接地选择线结构可以设置在第一字线结构下方，第一串选择线结构 可以设置在第一字线结构上方。

第一接地选择线结构可包括第一接地选择线、第一接地选择半导体结构 和在第一接地选择线和第一接地选择半导体结构之间的第一接地选择栅极 电介质。

第一串选择线结构可包括第一串选择线、第一串选择覆盖图案和第一串 选择栅极电介质。

第二垂直半导体器件还可包括第二串选择线结构和第二接地选择线结 构。

第二接地选择线结构可以设置在第二字线结构下方，第二串选择线结构 可以设置在第二字线结构上方。

第二接地选择线结构可以包括第二接地选择线、第二接地选择半导体结 构和在第二接地选择线和第二接地选择半导体结构之间的第二接地选择栅 极电介质。

第二串选择线结构可以包括第二串选择线、第二串选择覆盖图案和第二 串选择栅极电介质。

所述互连可以具有多层结构。

所述互连可以包括掺杂半导体材料、金属和金属化合物中至少之一。

附图说明

通过结合附图具体描述本发明的具体实施方式，上述和其他特点和优点 对于本领域技术人员将变得更为明显，在附图中：

图1示出根据一实施例的垂直型半导体器件的电路图；

图2示出根据一实施例的垂直型半导体器件的电路图；

图3A示出根据一实施例的垂直型半导体器件的平面图；

图3B和3C示出图3A的垂直型半导体器件的截面图；

图4A到19A示出沿图3A的线I-I’所取的在垂直型半导体器件的形成方 法中各阶段的截面图；

图4B到19B示出沿图3A的线II-II’所取的在垂直型半导体器件的形成 方法中各阶段的截面图；

图20A示出根据一实施例的垂直型半导体器件的平面图；

图20B和20C示出图20A的垂直型半导体器件的截面图；