[发明专利]半导体结构及其制造或操作方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

在绝缘体上半导体衬底的顶部半导体层上形成至少一个场效应晶体 管，所述绝缘体上半导体衬底包括掩埋绝缘体层以及具有第一导电类型的 掺杂的底部半导体层；

在所述顶部半导体层中形成浅沟槽隔离结构，其中所述浅沟槽隔离结 构横向地邻接并围绕所述至少一个场效应晶体管；

在所述底部半导体层中形成第一掺杂半导体区域，其中所述第一掺杂 半导体区域邻接所述掩埋绝缘体层并具有所述第一导电类型的掺杂；以及

在所述底部半导体层中形成第二掺杂半导体区域，其中所述第二掺杂 半导体区域邻接所述掩埋绝缘体层并具有第二导电类型的掺杂，其中所述 第二导电类型与所述第一导电类型相反，并且其中通过位于所述绝缘体上 半导体衬底之上的至少一个金属互连结构电连接所述第一和第二掺杂半导 体区域并且以相同的电压电偏置所述第一和第二掺杂半导体区域。

2.根据权利要求1的方法，还包括：

在所述顶部半导体层上形成构图的离子注入掩模；以及

通过在所述构图的离子注入掩模、所述顶部半导体层以及所述掩埋绝 缘体层中的开口，将电掺杂剂注入到所述底部半导体层的上部，其中所述 底部半导体层的注入的部分构成所述第一掺杂半导体区域或所述第二掺杂 半导体区域。

3.根据权利要求1的方法，还包括：

在所述至少一个场效应晶体管和所述浅沟槽隔离结构之上形成中段制 程介电层；以及

形成至少一个导电过孔，所述至少一个导电过孔从所述中段制程介电 层的顶面延伸穿过所述中段制程介电层、所述浅沟槽隔离结构、所述掩埋 绝缘体层并到达所述第一和第二掺杂半导体区域。

4.根据权利要求3的方法，还包括：

形成至少一个第一过孔腔，所述至少一个第一过孔腔从所述中段制程 介电层的所述顶面延伸到所述底部半导体层的顶面；以及

通过所述至少一个第一过孔腔，将所述第一导电类型的掺杂剂注入到 所述底部半导体层的上部中，其中所述底部半导体层的注入的部分构成所 述第一掺杂半导体区域。

5.根据权利要求3的方法，还包括：

形成至少一个过孔腔，所述至少一个过孔腔从所述中段制程介电层的 所述顶面延伸到所述底部半导体层的顶面，其中所述第一掺杂半导体区域 和所述第二掺杂半导体区域直接位于所述至少一个过孔腔之下；以及

用导电材料填充所述至少一个过孔腔，其中通过所述导电材料形成所 述至少一个导电过孔。

6.根据权利要求3的方法，其中所述至少一个导电过孔中的每一个为 下导电过孔和上导电过孔的叠层，其中所述下导电过孔与所述上导电过孔 之间的界面与所述顶部半导体层的顶面基本上共面。

7.根据权利要求3的方法，其中所述至少一个导电过孔包括：

至少一个第一导电过孔，其从所述中段制程介电层的所述顶面延伸穿 过所述中段制程介电层、所述浅沟槽隔离结构、所述掩埋绝缘体层，并到 达所述第一掺杂半导体区域的顶面；以及

至少一个第二导电过孔，其从所述中段制程介电层的所述顶面延伸穿 过所述中段制程介电层、所述浅沟槽隔离结构、所述掩埋绝缘体层，并到 达所述第二掺杂半导体区域的顶面。