[发明专利]抗蚀墨及使用该抗蚀墨形成图案的方法

说明书

技术领域

本发明涉及抗蚀墨和图案形成方法，特别是，涉及因添加了硅烷偶 联剂而具有增强的耐酸性并可防止因残留物熔析所造成的缺陷的抗蚀 墨，和使用该抗蚀墨的图案形成方法。

背景技术

显示器件，例如液晶显示(LCD)器件等平板显示器件通过在各像素处 采用有源器件(例如薄膜晶体管)而被驱动。这种类型的显示器件驱动 方法通常被称作有源矩阵驱动法。有源矩阵驱动法的实施使得有源器件 被设置于以矩阵构造排列的各像素处，由此驱动相应的像素。

图1显示的是有源矩阵型LCD器件。具有图1所示的结构的LCD 器件是使用薄膜晶体管(TFT)作为有源器件的薄膜晶体管LCD器件。参 考图1，TFT位于在垂直和水平方向上设置有N×M个像素的LCD器件 的各像素中。各TFT形成于栅线4与数据线6之间的交点处，外部驱动 电路对栅线4施加扫描信号，并由其对数据线6施加图像信号。TFT设 置有连接于栅线4的栅极3、形成于栅极3上并响应施加于栅极3的扫描 信号而激活的半导体层8，和形成于半导体层8上的源/漏极5。像素1 的显示区域设置有像素电极10，所述像素电极10与源/漏极5相连，由 此可响应半导体层8的激活，通过源/漏极5对像素电极10施加图像信号， 从而操作液晶(未示出)。

图2显示的是位于各像素中的TFT的结构。如图2所示，TFT包括 由诸如玻璃等透明绝缘材料形成的基板20、形成于基板20上的栅极3、 位于栅极3上层压于整个基板20上方的栅绝缘层22、形成于栅绝缘层 22上并可被施加于栅极3上的信号激活的半导体层6、形成于半导体层6 上的源/漏极5，和形成于源/漏电极5上的用于保护器件的钝化层25。

TFT的源/漏极5电连接于形成于各像素中的像素电极。因此，当通 过源/漏极5对像素电极施加信号时，液晶被驱动，从而显示图像。

如上所述，诸如LCD器件等有源矩阵型显示器件具有尺寸均为数十 纳米的像素。因此，设置于像素中的TFT等有源器件应精密地形成为数 纳米的尺寸。特别是，诸如高清电视(HDTV)等高清显示器件需要在同样 大小的屏幕中设置更多的像素，随着这一需求的增加，设置于各像素中 的有源器件图案(包括栅线图案和数据线图案)也因此必须更加精密地 形成。

同时，在相关技术中为制造诸如TFT等有源器件，有源器件的图案 或线路通过使用曝光系统的光刻法来形成。然而，相关技术的图案形成 必须采用光刻法，所述光刻法在将光刻胶层压至拟图案化的层上之后通 过曝光工序来进行。此处，因为曝光系统具有有限的曝光面积，所以为 制造大型显示器件，应该通过分割屏幕来执行光刻法。因此，在对分割 区执行光刻工序时，曝光区的精确的位置对齐很难实现，此外还应该多 次重复光刻，导致生产率降低。

为避免这些问题，最近提出了这样的印刷方法，其中，通过以下方 法形成抗蚀图案：使用辊将抗蚀墨直接印刷在诸如金属等蚀刻目标层上， 然后在使用抗蚀图案遮掩下方的蚀刻目标层的状态下，使用蚀刻液来蚀 刻该蚀刻目标层。

该印刷方法的实现使得，所需形式(即，根据图案形状的形式)的 抗蚀墨形成于印刷辊上，然后该印刷辊在基板上滚动以将抗蚀墨转印于 其上，由此形成抗蚀图案。然而，通过相关技术的印刷方法进行的蚀刻 具有以下问题。

通常，由于图案是通过曝光工序形成的，因此在加入光引发剂的情 况下进行光照射时光刻胶会发生光致交联，而该印刷方法却通过烘焙工 序而非光致交联来获得交联。然而，在烘焙工序中，若在烘焙后有部分 组分保持原样而未发生交联，则当加入蚀刻液时，残留物会熔析，由此 导致诸如在抗蚀墨中产生针孔等损坏。对于抗蚀墨的损坏可能导致在蚀 刻该蚀刻目标层时出现缺陷。此外，在湿法蚀刻过程中，抗蚀墨可因残 留物而剥离，由此使金属层暴露。因此，蚀刻液甚至会蚀刻暴露的金属 层。结果，图案的宽度可能会成问题，即，比预设宽度窄，甚至可能在 图案中出现短路。

发明内容

因此，为避免上述问题，本发明的一个目的是提供如下抗蚀墨，所 述抗蚀墨因添加了硅烷偶联剂而具有增强的耐酸性，并可防止因针孔等 而造成的缺陷。

本发明的另一目的是提供通过使用上述制造的抗蚀墨来形成图案的 方法。