[发明专利]一种具有快速自毁功能的电子硬盘及其数据擦除方法

权利要求书

1.一种具有快速自毁功能的电子硬盘，包括闪存控制器和闪存芯片阵列，其特征在于：该电子硬盘还包括自毁模块，该自毁模块包括自毁命令监测模块，用于检测自毁信号，同时产生数据通道交叉开关的控制信号；包括数据通道交叉开关模块，用于切换数据通道；以及闪存控制单元，用于擦除电子硬盘的数据；

所述自毁命令监测模块和闪存控制器相连；

所述闪存控制单元的输入与自毁命令检查模块相连，其输出与数据通道交叉开关模块相连；

所述数据通道交叉开关模块的输入和闪存控制器的地址译码单元、总线扩展单元相连，其输出与闪存芯片阵列相连。

2.一种数据擦除方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

1)自毁命令监测模块监测自毁信号，当有自毁信号时，自毁命令监测模块产生自毁启动信号，同时产生数据通道交叉开关的选择信号；

2)数据通道交叉开关模块收到数据通道交叉开关的选择信号后，数据通道交叉开关模块切断闪存控制器与闪存芯片阵列的总线通道，使执行擦除操作的闪存控制单元与闪存芯片阵列相连；

3)闪存控制单元接收到自毁启动信号后，闪存控制单元同时向各个通道发送数据擦除命令，完成电子硬盘数据的擦除。

3.根据权利要求2所述的数据擦除方法，其特征在于：所述步骤3)中的闪存控制单元同时向各个通道发送数据擦除命令，若干个芯片可以并接在同一个通道上，若干个芯片通道可以并接在控制总线和数据总线上，增加芯片通道数就可以以使数据的擦除速度提高到单通道的数据的擦除速度的N倍，所述N为扩充后的并行通道的数量。

4.根据权利要求2所述的数据擦除方法，其特征在于：所述步骤3)中的闪存控制单元同时向各个通道发送数据擦除命令的过程中，在单通道内，控制单元首先向该单通道内的第一闪存芯片发出擦除命令，当该第一闪存芯片进入内部擦除阶段时，控制单元放弃对该第一闪存芯片的控制转而执行对该单通道内的第二闪存芯片的擦除操作，当该第二闪存芯片进入自行擦除阶段时，控制单元放弃对该第二闪存芯片的控制转而执行对该单通道内的第三闪存芯片的擦除操作……依次类推，在该单通道内的所有芯片间实现流水擦出操作，完成对该单通道内的数据的擦除操作。

5.根据权利要求2所述的数据擦除方法，其特征在于：所述步骤3)中，对单通道中的单个芯片可以执行芯片自身所支持的交叉并行擦除命令，实现芯片内部不同存储块的并行操作，对单个芯片循环执行擦除命令，直到完成对该单个芯片的数据的擦除。

6.根据权利要求2至5中任一权利要求所述的数据擦除方法，其特征在于：所述自毁信号是主机发出的自毁命令或外部输入的自毁信号。

7.根据权利要求6所述的数据擦除方法，其特征在于：所述自毁命令经闪存控制器翻译后产生自毁启动信号，并传送给自毁命令监测模块。