[发明专利]一种硅酸铋微晶体的制备方法无效
| 申请号: | 200910218900.2 | 申请日: | 2009-11-10 | 
| 公开(公告)号: | CN101708863A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 | 
| 发明(设计)人: | 郭宏伟;王秀峰;杨新平;郭晓琛;高档妮;田鹏;龚煜轩 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 | 
| 主分类号: | C01G29/00 | 分类号: | C01G29/00 | 
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 | 
| 地址: | 710021 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅酸 晶体 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种含铋的硅酸盐晶体的制备方法,特别涉及一种硅酸铋 (Bi2SiO5)微晶体的制备方法。
背景技术
寻找新功能晶体是国际晶体材料科学的前沿,而新功能晶体的预测、原料 制备、析晶行为、晶体生长等方面的研究是新功能晶体研究的基础。近年来发 现Bi2O3-SiO2系统是很有进一步研究价值的系统。由于元素Si和Ge在化学元 素周期表中属同一主族,性质相似,因此Bi2O3-SiO2系统和Bi2O3-GeO2系统在结 构和性能上有学多相似之处。目前对Bi2O3-GeO2系统的研究已经较为成熟,而 对Bi2O3-SiO2系统的研究显得不足(费一汀,无机材料学报,1997,12:469~ 476)。在该系统中发现的化合物晶相有6:1、1:1及2:3等相,已查明Bi12SiO20晶体具有电光、光电导、光折变、压电、声光、旋光等性能,Bi4Si3O12晶体具 有电光、闪烁等性能。但是,除了对Bi12SiO20组成附近的相关系及其晶体的生 长、性质、应用等方面有较详细的研究外,该系统大部分区域基本上缺乏细致 而深入地研究,一个原因在于该系统组成中其它晶体难于合成,且合成过程中 易于产生杂相,这对所制备的单晶性能影响较大,因此制备高纯度的晶体原料 是制备高品质透明单晶体的基础。
硅酸铋(Bi2SiO5)属于正交晶系,Cmc21空间群,点阵常数a=15.19A,b =5.468A,c=5.314A,Z=4(费一汀,无机材料学报,1997,12:469~476), 是由[Bi2O2]2+层分隔开的孤立的[SiO3]2-链所构成,即Bi4[O4][Si2O6]。Bi2SiO5单 晶体主要具有介电、热电以及非线性光学等性质,它的非对称的晶体结构使其 有可能具有铁电性质,在光电材料方面有潜在的用途。
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