[发明专利]三（8-羟基喹啉-5-磺酸根）合铝配阴离子插层水滑石复合发光材料及其制备方法

权利要求书

1.一种三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子插层水滑石复合发光 材料，其特征在于，该复合发光材料的化学式为：[(M²⁺)_1-x(M³⁺)_x(OH)₂]^x+(A^-)_x·mH₂O，其中0.1≤x≤0.33，m＝3-6为层间结晶水分子数，M²⁺代表二价 金属阳离子，M³⁺代表三价金属离子，A^-代表三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝 配阴离子和十二烷基磺酸根阴离子，三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离 子与十二烷基磺酸根阴离子的摩尔比为0.033∶1-16.667∶1；该复合发光材 料的晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，金属阳离子和氢氧根离子以共价 键构成八面体，通过共边形成片状结构，三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配 阴离子插入水滑石层间构成均匀分散的三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴 离子插层的超分子层状复合发光材料。

2.一种三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子插层水滑石复合发光 材料的制备方法，其特征在于，具体操作步骤为：

I.配制二价、三价金属阳离子摩尔比M²⁺/M³⁺为2∶1-3∶1的溶液A，其 中二价金属阳离子浓度为0.06-0.09M；

II.配制三(8-羟基喹啉-5-磺酸钠)合铝和十二烷基磺酸钠的水溶液B， 其中上述二种物质阴离子的电荷总数与步骤I中三价金属阳离子M³⁺摩尔数 比为1∶1-2∶1，三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子与十二烷基磺酸根阴 离子的摩尔比为0.033∶1-16.667∶1，三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴 离子的浓度为0.0009-0.0098M；

III.将溶液A与溶液B混合得到溶液C，然后将溶液C倒入四口烧瓶中；

IV.配制NaOH溶液，浓度为0.5-1.0M，将该NaOH溶液通过恒压漏斗， 在氮气保护条件下向装有溶液C的四口烧瓶中缓慢滴加至pH值为9.5-11.0， 得到浆液D，将四口烧瓶内的浆液D迅速转移到高压反应釜中，置于 110-140℃的烘箱内反应20-40小时；

V.将步骤IV中的反应产物分别用去CO₂、去离子水和乙醇离心洗涤3-6 次，至洗涤液无色，将离心得到的滤饼在50-70℃温度范围内真空干燥15-20 小时，即得到三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子插层水滑石复合发光 材料。

3.根据权利要求1所述的一种三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子 插层水滑石复合发光材料，其特征在于，所述的M²⁺为Mg²⁺、Ni²⁺、Co²⁺、Zn²⁺或Ca²⁺，M³⁺为Al³⁺或Fe³⁺。

4.根据权利要求2所述的一种三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子 插层水滑石复合发光材料的制备方法，其特征在于，所述的M²⁺为Mg²⁺、Ni²⁺、 Co²⁺、Zn²⁺或Ca²⁺，M³⁺为Al³⁺或Fe³⁺。

5.根据权利要求2或4所述的一种三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴 离子插层水滑石复合发光材料的制备方法，其特征在于，具体操作步骤为：

I.配制Mg²⁺/Al³⁺摩尔比为2∶1的溶液A，其中Mg²⁺浓度为0.06M；

II.配制三(8-羟基喹啉-5-磺酸钠)合铝和十二烷基磺酸钠的水溶液B， 其中上述二种物质阴离子的电荷总数与步骤I中Al³⁺摩尔数比为1∶1，三(8- 羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子与十二烷基磺酸根阴离子的摩尔比为 0.033∶1，三(8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子的浓度为0.0067M；

III.将溶液A与溶液B混合得到溶液C，然后将溶液C倒入四口烧瓶中；

IV.配制NaOH溶液，浓度为1.0M，将该NaOH溶液通过恒压漏斗，在氮 气保护条件下向装有溶液C的四口烧瓶中缓慢滴加至pH值为10，得到浆液 D，将四口烧瓶内的浆液D迅速转移到高压反应釜中，置于120℃的烘箱内反 应24小时；

V.将步骤IV中的反应产物分别用去CO₂、去离子水和乙醇离心洗涤6 次，至洗涤液无色，将离心得到的滤饼在50℃真空干燥20小时，即得到三 (8-羟基喹啉-5-磺酸根)合铝配阴离子插层水滑石复合发光材料。