[发明专利]一种复合真空沉积设备

权利要求书

1.一种复合真空镀膜设备，其特征在于：所述复合真空镀膜设备主要由镀膜室4、阴极电弧蒸发源2、中频磁控溅射源7、直流磁控溅射源8、气体离子源10、工作气体进气管道6、工件架3及真空获得系统、真空测量系统、进气系统、电源和控制系统等组成，通过复合真空沉积设备各组件的优化配置实现反应气体浓度的最佳分布，抑制磁控溅射源靶中毒、真空阴极电弧喷溅等问题，为获得较少微观缺陷的薄膜合成技术奠定设备基础。

2.按照权利要求1所述的复合真空镀膜设备，其特征在于：抽气口1安装在真空室后侧，与真空获得系统相连。

3.按照权利要求1所述的复合真空镀膜设备，其特征在于：阴极电弧蒸发源2安装在靠近抽气口1的真空室两侧，靶面朝向真空室中心线。

4.按照权利要求1所述的复合真空镀膜设备，其特征在于：中频磁控溅射源7安装在真空室左右两侧的中间位置，靶面朝向真空室中心线。

5.按照权利要求1所述的复合真空镀膜设备，其特征在于：直流磁控溅射源8安装在远离抽气口的真空室前门9上，靶面朝向真空室中心线。

6.按照权利要求1所述的复合真空镀膜设备，其特征在于：气体离子源10安装在真空室4的中心位置，离子束喷向抽气口1方向，气体离子源10的背部和侧面设置气体离子源挡板5来抑制反应气体向中频磁控溅射源7和直流磁控溅射源8方向扩散，气体离子源挡板5的开口方向朝向抽气口1。

7.按照权利要求1所述的复合真空镀膜设备，其特征在于：反应气体通过气体离子源10通入真空室内。

8.按照权利要求1所述的复合真空镀膜设备，其特征在于：工作气体从安装在中频磁控溅射源7和直流磁控溅射源8附近的工作气体进气管道6通入真空室4，工作气体进气管道上有若干组特定直径的进气孔，直流磁控溅射源8附近的工作气体进气管道6上的进气孔直径大于中频磁控溅射源7附近的工作气体进气管道6上的进气孔直径。

9.按照权利要求1所述的复合真空镀膜设备，其特征在于：阴极电弧蒸发源2附近具有高的反应气体浓度，直流磁控溅射源8附近反应气体浓度足够低，中频磁控溅射源7附近反应气体浓度居中。

10.按照权利要求1所述的复合真空镀膜设备，其特征在于：工件架采用行星式旋转结构，以提高涂层的均匀性。