[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域中包括：形成在基板上的栅线和数据线、所述栅线和数据线限定的各个像素区域，在所述像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述基板上还形成三极管结构的光传感器。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述光传感器包括：

第一离子层和第二离子层，形成在基板上，所述第一离子层位于所述第二离子层的两侧；

栅绝缘层和钝化层，依次形成在所述第一离子层和第二离子层上；

发射极和集电极，形成在所述栅绝缘层和钝化层上，并分别通过所述栅绝缘层和钝化层上开设的过孔与所述第一离子层连接；

绝缘层，形成在所述发射极和集电极上；

基极，形成在所述绝缘层上，并通过所述绝缘层、栅绝缘层和钝化层上开设的过孔与所述第二离子层连接。

3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述第一离子层为被植入p型离子的离子层，所述第二离子层为被植入n+型离子的离子层，则所述光传感器为PNP型三极管结构。

4.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述第一离子层为被植入n+型离子的离子层，所述第二离子层为被植入p型离子的离子层，则所述光传感器为NPN型三极管结构。

5.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述第二离子层一侧的所述第一离子层为被植入高掺杂n+型离子的离子层，所述第二离子层另一侧的所述第一离子层为被植入轻掺杂n+型离子的离子层，所述第二离子层为被植入p型离子的离子层，则所述光传感器为轻掺杂NPN型三极管结构。

6.根据权利要求2-5任一所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述第一离子层和第二离子层与所述薄膜晶体管的掺杂半导体层同层，并在同一次构图工艺中形成。

7.根据权利要求2-5任一所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述发射极和集电极与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层，并在同一次构图工艺中形成。

8.根据权利要求2-5任一所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述基极与所述像素电极同层，并在同一次构图工艺中形成。

9.根据权利要求1-5任一所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述光传感器形成于所述显示区域内，或者形成于所述非显示区域内。

10.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积半导体薄膜，通过构图工艺形成第一半导体层和第二半导体层；

在完成上述步骤的所述基板上沉积栅绝缘层和栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极图形，所述栅电极位于所述第一半导体层的上方；

在完成上述步骤的所述基板上进行离子植入，在所述第一半导体层上形成掺杂半导体层，在所述第二半导体层上形成第一离子层和第二离子层，所述掺杂半导体层位于所述栅电极对应的所述第一半导体层的两侧，所述第一离子层位于所述第二离子层的两侧；

在完成上述步骤的所述基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔的图形，所述第一过孔和第二过孔均位于所述掺杂半导体层的上方，所述第三过孔和第四过孔均位于第一离子层的上方；

在完成上述步骤的所述基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括源电极、漏电极、发射极和集电极的图形，所述源电极和漏电极分别通过所述第一过孔和第二过孔与所述掺杂半导体层连接，所述发射极和集电极分别通过所述第三过孔和第四过孔与所述第一离子层连接；

在完成上述步骤的所述基板上沉积绝缘层，通过构图工艺形成包括第五过孔和第六过孔的图形，所述第五过孔位于所述漏电极的上方，所述第六过孔位于所述第二离子层的上方；

在完成上述步骤的所述基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和基极的图形，所述像素电极通过所述第五过孔与所述漏电极连接，所述基极通过所述第六过孔与所述第二离子层连接。