[发明专利]一种有机电致发光铱配合物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种有机电致发光铱配合物，其特征在于有机电致发光铱配合物以空穴传输基团取代 的烷基取代苯基苯并咪唑为配体，三价铱为离子为中心离子，其通式如下：

其中，Ar为咔唑、3，6-二烷基咔唑、三苯胺或者萘基二苯基胺，m＝0～3，n＝2～6，m、n均为整 数，所述配体的结构式为：

2.根据权利要求1所述的一种有机电致发光铱配合物，其特征在于当m不为0时，空 穴传输基团取代的烷基在苯基苯并咪唑的苯基上的2位、3位、4位和5位的四个被取代位置 中的一个、两个或者三个位置上进行取代。

3.如权利要求1所述的一种有机电致发光铱配合物的制备方法，其特征在于有机电致发 光铱配合物的制备方法是通过以下步骤实现的：一、将苯甲醛或其衍生物和邻苯二胺溶于二 甲基甲酰胺中，然后再加入摩尔浓度为5mol/L的偏重亚硫酸钠水溶液，在30～120℃条件下 反应2～12h，得到苯基苯并咪唑或其衍生物，其中，苯甲醛或其衍生物与邻苯二胺的摩尔比 为1∶1，二甲基甲酰胺的体积与邻苯二胺的摩尔量的比例为800mL∶1mol，偏重亚硫酸钠与邻 苯二胺的摩尔比为2∶1；二、将步骤一得到的苯基苯并咪唑或其衍生物放入丙酮中，搅拌溶 解，然后再加入摩尔浓度为2mol/L的氢氧化钠溶液，搅拌均匀后再加入空穴传输基团取代的 烷基溴，然后在30～80℃条件下回流反应1～12h，得到烷基取代苯基苯并咪唑配体，其中， 苯基苯并咪唑或其衍生物的摩尔量与丙酮的体积比例为1mol∶5L，苯基苯并咪唑或其衍生物 与氢氧化钠的摩尔比为1∶2～5；三、在氮气氛围下，将步骤二得到的配体和三氯化铱溶于乙二 醇乙醚和水的混合溶剂中，然后在80～140℃条件下回流反应12～48h，得到氯桥联铱中间体， 其中配体与三氯化铱的摩尔比为2～3∶1，混合溶剂的体积与三氯化铱摩尔量的比例为 10mL∶1mmol，乙二醇乙醚与水的混合比例为3∶1；四、将氯桥联铱中间体和配体加入甘油中， 搅拌溶解后再加入碳酸钾，然后在180～240℃下反应12～48h，得空穴传输基团取代的烷基取 代苯基苯并咪唑铱配合物，即有机电致发光铱配合物；其中氯桥联铱中间体和配体的摩尔比 为1∶2～3，氯桥联铱中间体与甘油的比例为1mmol∶10～15mL。

4.根据权利要求3所述的一种有机电致发光铱配合物的制备方法，其特征在于步骤一中 苯甲醛衍生物为邻羟基苯甲醛、间羟基苯甲醛、对羟基苯甲醛、2，3-二羟基苯甲醛、2，4- 二羟基苯甲醛、2，5-二羟基苯甲醛、3，4-二羟基苯甲醛、3，5-二羟基苯甲醛、4，5-二羟基 苯甲醛、2，3，4-三羟基苯甲醛、2，4，5-三羟基苯甲醛或者3，4，5-三羟基苯甲醛。

5.根据权利要求3或4所述的一种有机电致发光铱配合物的制备方法，其特征在于步 骤二中空穴传输基团取代的烷基溴为6-溴己基咔唑、4-溴丁基咔唑、2-溴乙基咔唑、6-溴己氧 基苯基二苯基胺、4-溴丁氧基苯基二苯基胺、2-溴乙氧基苯基二苯基胺、6-溴己氧基苯基萘基 苯基胺、4-溴丁氧基苯基萘基苯基胺或者2-溴乙氧基苯基萘基苯基胺。

6.根据权利要求3或4所述的一种有机电致发光铱配合物的制备方法，其特征在于步 骤四还可以用以下步骤替代实现：将氯桥联铱中间体和三氟甲烷磺酸银的混合物在150～200 ℃条件下反应12～48h，得空穴传输基团取代的烷基取代苯基苯并咪唑铱配合物，即有机电致 发光铱配合物；其中氯桥联铱中间体和三氟甲烷磺酸银的摩尔比为1∶0.3～1。

7.根据权利要求3或4所述的一种有机电致发光铱配合物的制备方法，其特征在于将步 骤三和步骤四用以下步骤替代实现：在氮气气氛下，将配体和三乙酰丙酮铱加入甘油中，搅 拌溶解后在180～240℃条件下反应12～48h，得空穴传输基团取代的烷基取代苯基苯并咪唑铱 配合物，即有机电致发光铱配合物；其中配体和三乙酰丙酮铱的摩尔比为3～4∶1，甘油和三乙 酰丙酮铱的比例为10～15ml∶1mmol。

8.由权利要求1所述的有机电致发光铱配合物的应用，其特征在于有机电致发光铱配合 物在有机电致发光二极管器件中的应用。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光铱配合物的应用，其特征在于有机电致发光铱配 合物应用在有机电致发光二极管器件中，有机电致发光二极管器件由下至上依次由第一层导 电层、空穴注入层、发光层、电子传输/空穴阻挡层和第二层导电层组成；所述第一层导电层 由氧化铟锡或透明导电聚合物构成，厚度为8～12nm；所述空穴注入层厚度为20～60nm；所述 发光层由权利要求1所述的有机电致发光铱配合物或者掺杂体构成，厚度为10～100nm，其中 掺杂体按体积分数由1％～20％的权利要求1所述的有机电致发光铱配合物和剩余的4，4’-N，N’- 咔唑基联苯或三(4-(N-咔唑基)苯基)胺组成；所述电子传输/空穴阻挡层的厚度为10～80nm；所 述的第二层导电层由能够产生反射的金属或者半透明导体的构成，厚度为900～1200nm，其中 金属或者半透明导体为钡、钙、氟化锂/铝组合、钡/铝组合或者镁银合金。