[发明专利]自动获取最大电压源的电路有效

专利信息
申请号: 200910217163.4 申请日: 2009-12-31
公开(公告)号: CN101728940A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 杜坦;江石根;谢卫国 申请(专利权)人: 苏州市华芯微电子有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人: 安纪平;刘洪京
地址: 215011 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 自动 获取 最大 电压 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路领域,尤其涉及有多个电压源供电的集成电路中 自动获取最大电压源的电路。

背景技术

一般的半导体集成电路都用一个电源供电。然而在有些特殊的半导体 集成电路中,可能需要两个或多个适合该电路的电源来供电,而这两个或 多个电源的电压在一些情况下并不是固定不变的,其大小会发生相对的变 化。比如,在以电源V1和电源V2同时供电的某一集成电路中,在一些时 间里电源电压V1大于V2,在另一些时间里V1小于V2,而其他时间里V1 等于V2。

而在这些半导体集成电路中,有些电路要求在任意的时间里,都尽可 能的用最高的电源来供电,否则电路会出现一些故障而影响电路的正常的 工作,这就要求设计一种在任意时间总是能自动地把多个电源中的具有最 大电压的电源挑选出来并自动输出给后续电路供电的电路。

发明内容

本发明的目的就是当半导体集成电路有多个电压源供电时,提供一种能 自动获取最大电压源的电路,并将该最大电压源自动输出的电路,以保证后 续电路的正常工作。

为实现上述目的,本发明提出如下技术方案:一种自动获取最大电压源 的电路,该电路包括第一晶体管(Mp1)和第二晶体管(Mp2),比较器模 块,第一控制模块(Mp1控制)及第二控制模块(Mp2控制),以及第一电 压源(V1)和第二电压源(V2);比较器模块的两输入端分别与第一电压源 (V1)和第二电压源(V2)相接,输出端与第一控制模块(Mp1控制)及 第二控制模块(Mp2控制)相接;比较器模块根据比较出的第一电压源(V1) 和第二电压源(V2)的大小,通过第一控制模块(Mp1控制)及第二控制 模块(Mp2控制)的控制使得第一晶体管(Mp1)和第二晶体管(Mp2)中 的其中之一完全导通,从而将第一电压源(V1)和第二电压源(V2)中电 压较大者进行输出。

其中,所述第一晶体管(Mp1)和第二晶体管(Mp2)的漏极分别与第 一电压源(V1)和第二电压源(V2)相接,其源极与输出电压(Vout)相 接,栅极分别与所述第一控制模块(Mp1控制)及第二控制模块(Mp2控 制)相接。

所述第一控制模块的输入电压分别为第一电压源(V1)和输出电压 (Vout),第二控制模块的输入电压分别为第二电压源(V2)和输出电压 (Vout)。

当第一电压源(V1)的电压大于第二电压源(V2)的电压时,第一晶 体管(Mp1)完全导通,第二晶体管(Mp2)完全关断,输出电压(Vout) 为第一电压源(V1)的电压。

当第一电压源(V1)的电压等于第二电压源(V2)的电压时,第一晶 体管(Mp1)和第二晶体管(Mp2)中的两者之一完全导通。

所述比较器模块包括第三晶体管(Mp3)和第四晶体管(Mp4),该第 三晶体管(Mp3)和第四晶体管(Mp4)的源极分别与第一电压源(V1)和 第二电压源(V2)相接,漏极分别与第一电流源(I1)和第二电流源(I2) 相接,两栅极相接到一起后与其中之一漏极相接,另一漏极则为比较器的输 出。

所述第一晶体管(Mp1)和第二晶体管(Mp2)均为PMOS管。

所述第一晶体管(Mp1)和第二晶体管(Mp2)的宽长比满足当其中任 意一个导通时,第一电压源(V1)和第二电压源(V2)中电压较大者减去 该晶体管的电压降后能满足输出电压(Vout)的要求。

所述电路还包括第三电压源,该第三电压源的电压与所述第一电压源及 第二电压源中的电压较大者再进行依次类推的比较后将电压最大的进行输 出。

本发明还提出了另一种自动获取最大电压源的电路,该电路包括第一晶 体管(Mp1)和第二晶体管(Mp2),第一电压源(V1)和第二电压源(V2); 第一晶体管(Mp1)的漏极分别与第一电压源(V1)和第二晶体管(Mp2) 的栅极相接,第二晶体管(Mp2)漏极分别与第二电压源(V2)和第一晶体 管(Mp1)的栅极相接,第一晶体管(Mp1)和第二晶体管(Mp2)的源极 与输出电压(Vout)相接。

其中,所述第一晶体管(Mp1)和第二晶体管(Mp2)均为PMOS管。

所述第一电压源(V1)和第二电压源(V2)间的电压差大于PMOS管 的门槛电压(Vt)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州市华芯微电子有限公司,未经苏州市华芯微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910217163.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top