[发明专利]液晶显示装置和显示设备

说明书

本申请是申请日为2008年2月26日、申请号为 200810006339.7、发明名称为“液晶显示装置和显示设备”的专利 申请的分案申请，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置和显示设备，更具体地，涉及一 种边缘场切换(FFS)模式(也称为板内切换(IPS)支持模式)的 液晶显示装置以及包括该液晶显示装置的显示设备。

背景技术

在FFS模式的液晶显示装置中，用于向液晶层施加基本上与基 板表面平行的横向电场的共电极和像素电极被设置同一基板侧上， 并且通过该横向电场驱动液晶元件用于显示图像。以下将参考图14 描述现有技术的FFS模式的液晶显示装置。图14A的截面图是沿图 14B中的线A-A’得到的。

该附图中所示的液晶显示装置是透射的。该液晶显示装置包括 液晶面板，液晶面板由第一基板110、面向第一基板110的元件形 成表面设置的第二基板120、以及介于这些第一基板110和第二基 板120之间的液晶层130形成。而且，在该液晶面板中，偏光镜140 和150分别紧密接触第一基板110和第二基板120的外表面设置。 在第一基板110上的偏光镜140的更外侧，设置用作用于透射显示 的光源的背光(未示出)。

第一基板110由诸如玻璃的透明基板形成。在其面向液晶层130 的表面上，以矩阵形式排列多条扫描线111和多条信号线112。在 条扫描线111和信号线112的每个交叉点处，设置用于驱动各个像 素的由薄膜晶体管(TFT)形成的驱动元件。被扫描线111和信号 线112所包围的区域用作像素区域110A。

在扫描线111和用于相邻像素的下一扫描线111之间，平行于 这些扫描线111、接近用于相邻像素的扫描线111设置共电位线113。 此外，在同一平面，在除TFT 1的形成区域外的像素区域110A中 设置共电极114，以此方式使共电极114的端部与共电位线113重 叠。共电极114与扫描线111设置在相同的平面上，因此，共电极 114的排列受限于扫描线111。

TFT 1的栅电极2由扫描线111的一部分形成。在第一基板110 上，设置栅极绝缘膜3以覆盖扫描线111、共电位线113、和共电极 114。此外，在覆盖栅电极2的栅极绝缘膜3上图样化形成半导体 层4。

半导体层4直接位于栅电极2之上的一部分用作沟道层4a。在 沟道层4a的两个侧面上，设置含有n型杂质的源极区4b和漏极区 4c。在源极区4b上，源电极6a经设置连接至源极区4b，并且源电 极6a连接至信号线112。在漏极区4c上，漏电极6b经设置连接至 漏极区4c。以此方式形成了TFT 1。

在栅极绝缘膜3上，设置层间绝缘膜115以覆盖TFT 1。在该 层间绝缘膜115中，设置了连接到TFT1的漏极6b的接触孔115a。 在层间绝缘膜115上，设置通过接触孔115a连接至TFT1并具有多 个狭缝的像素电极116。这些狭缝116a与扫描线111平行。此外， 在层间绝缘膜115之上设置对准层117，并且对准层117覆盖像素 电极116。

由于这种结构，在共电极114和像素电极116的电极部分的端 部之间产生电场，其中，这些电极部分夹着狭缝116a。因此，向液 晶层130施加基本上平行于基板表面的横向电场。

第二基板120也由诸如玻璃基板的透明基板形成。在面向液晶 层130的表面上，顺序设置分别用于红色(R)、绿色(G)、和蓝色 (B)的各种颜色的滤色片121、以及对准层122。

在具有上述结构的液晶显示装置中，扫描线111和共电极114 位于第一基板110的同一平面上，因此共电极114的形成区域受扫 描线111的限制。这会导致孔径比(aperture ratio)低和透光率低的 问题。

为了解决这些问题，已报道了液晶显示装置的一个实施例，这 种液晶显示装置是通过在以上通过使用图14所述的液晶显示装置 的结构中，将具有狭缝116a的像素电极116设置在栅极绝缘膜3 上以及将共电极114设置在层间绝缘膜115上而得到的(例如，参 看第3742837号日本专利(专利文献1))。

此外，也已报道了以下的实施例，其中，在以上通过使用图14 所述的液晶显示装置中，共电极114被设置在栅极绝缘膜3上(例 如，参看第3740514号日本专利和第3742836号日本专利(专利文 献2和3))。