[发明专利]一种发光二极管外延片和其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制造方法，该方法包括：

在蓝宝石衬底的器件面依次形成缓冲层、n型半导体层、有源区发光层和p型半导体层，以及n型半导体层，p型半导体层上的电流扩散层，在非出光面依次生长用于反射入射角大于36度出射光的第一背镀层；

在第一背镀层上生长用于反射入射角小于36度出射光的第二背镀层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二背镀层是高低折射率交替的多层介质和反光金属层的组合。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一背镀层的厚度范围是1到5个LED出射光的波长。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二背镀层的总厚度范围是200纳米到5000纳米。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反光金属层是铝或银。

6.如权利要求1所述的方法，该方法还包括：

在第二背镀层上生长用于保护和散热的第三背镀层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三背镀层是单层金属膜或多层金属膜系组合。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三背镀层的厚度范围是100纳米到1000纳米。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述单层金属膜或多层金属膜系组合的材料为金、镍、铬、钛中的一种或几种的组合。

10.一种发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底和在蓝宝石衬底器件面依次形成的缓冲层、n型半导体层、有源区发光层和p型半导体层，其特征在于，所述外延片还包括在非出光面上的用于反射入射角大于36度出射光的第一背镀层，第一背镀层上用于反射入射角小于36度出射光的第二背镀层。

11.如权利要求10所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片还包括第二背镀层上用于保护和散热的第三背镀层。