[发明专利]一种选择性前表面场N型太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种选择性前表面场N型太阳电池的制作方法，其特征在于，利用铝硅合金化过程或高温硼扩散过程形成背表面p-n结，高温磷扩散形成前表面轻掺杂N型层，激光掺杂形成前表面局域重掺杂N型区域，并用化学镀或电镀方法在上述重掺杂N型区域上制作前电极，具体包括以下步骤：

(a)对N型半导体衬底进行表面织构化并进行化学清洗；

(b)高温磷扩散制作前表面轻掺杂N型层；

(c)在N型半导体衬底前表面制备介质膜；

(d)在N型半导体衬底背表面制作p-n结；

(e)在N型半导体衬底背表面制作银电极和铝电极；

(f)在N型半导体衬底前表面涂覆磷源；

(g)在N型半导体衬底前表面进行激光掺杂形成局域重掺杂N型区域；

(h)用化学镀或电镀方法在重掺杂N型区域上制作前电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(b)所述的高温磷扩散是指采用三氯氧磷作为磷源，在800～1000℃的温度下对N型半导体衬底进行N型掺杂，所述的轻掺杂N型层的方块电阻在45Ω/□至120Ω/□之间。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(d)所述的p-n结制作是指利用铝硅合金化过程或高温硼扩散过程来制作p-n结。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述的利用铝硅合金化过程形成p-n结的方法包括以下步骤：

(a)采用丝网印刷、溅射或蒸镀的方法在N型半导体衬底上覆盖一层铝电极；

(b)在575～1000℃即不低于铝硅共晶温度的环境下对太阳电池进行热处理。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述的利用高温硼扩散过程形成p-n结的方法是指采用三溴化硼作为硼源，在800～1000℃的温度下对N型半导体衬底进行P型掺杂的过程。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(f)所述的涂覆磷源采用喷涂、旋涂或丝网印刷方式予以实现，所述的磷源是指磷酸、磷酸-乙醇混合溶液或高温磷扩散时形成的磷硅玻璃层。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(g)所述的激光掺杂是指采用激光烧蚀N型半导体衬底，把烧蚀区域内的衬底材料熔融并与磷源混合形成局域重掺杂N型区域。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述的局域重掺杂N型区域呈梳状分布在太阳电池前表面，该区域的方块电阻不大于45Ω/□。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(h)所述的前电极由银、铜、镍、锡或含有上述元素的合金组成。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述的前电极位于局域重掺杂N型层之上。