[发明专利]光谱下转移彩色电池组件有效

专利信息
申请号: 200910213499.3 申请日: 2009-10-29
公开(公告)号: CN101707223A 公开(公告)日: 2010-05-12
发明(设计)人: 沈辉;李达;刘振阳;黄强 申请(专利权)人: 中山大学;常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/055 分类号: H01L31/055;H01L31/0232;H01L31/048
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 光谱 转移 彩色 电池 组件
【权利要求书】:

1.一种光谱下转移彩色电池组件,包括太阳电池阵列(1),其特征是:在所述的太阳电池阵列(1)的电池片的受光面前方区域设置光谱下转移光学介质层(2),光谱下转移光学介质层(2)将电池光谱响应差的短波段吸收并转移到电池光谱响应理想的长波段,转移后通过电池片进行光电转换,光谱下转移光学介质层(2)包括介质和用于光谱下转移的半导体量子点(3),半导体量子点(3)均匀分散在介质中,所述的介质是包含半导体量子点(3)的稳定液体,半导体量子点(3)均匀分散在稳定液体中,其特征是:将中间留有薄层空隙的玻璃板(7)、PVB膜(9)、电池阵列(1)、TPT背板(5)层压,将含有半导体量子点(3)的稳定液体注入玻璃板(7)的薄层空隙。

2.根据权利要求1所述的光谱下转移彩色电池组件,其特征是:所述的半导体量子点(3)是指II-VI族化合物的纳米颗粒,具有同质或者异质多层的结构。

3.根据权利要求2所述的光谱下转移彩色电池组件,其特征是:所述的半导体量子点(3)是具有核壳异质结构的CdSe@CdS或CdSe@ZnS量子点。

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