[发明专利]用于液晶显示器的一种提升开口率的像素设计

权利要求书

1.一种用于液晶显示器的像素结构，其特征在于，所述像素结构包含：

(a)一扫描线，形成于一基板之上；

(b)一数据线，形成于所述基板之上；

(c)一像素区，与所述扫描线和所述数据线相关连；

(d)一开关，形成于所述基板上的所述像素区内部；

(e)一遮蔽电极，具有一第一部份和一延伸自所述第一部份的第二部份，并形成于所述扫描线、所述数据线和所述开关之上，其中所述第一部份与所述开关部分重迭，且其中所述第二部份与所述数据线部分重迭；及

(f)一像素电极，具有一第一部份和一延伸自所述该第一部份的第二部份，并形成于所述像素区内的所述遮蔽电极之上，其中所述第一部份与所述遮蔽电极的第一部份重迭，以定义一储存电容器于其间，其中所述像素电极的所述第二部份未与所述遮蔽电极的所述第二部份重迭，

其中所述开关具有一栅极、一源极、和一漏极，分别电性连接至所述扫描线、所述数据线和所述像素电极。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包含：

(a)一第一绝缘层，形成于所述扫描线和所述数据线之间；

(b)一第二绝缘层，形成于所述数据线和所述遮蔽电极之间；及

(c)一第三绝缘层，形成于所述遮蔽电极和所述像素电极之间。

3.如权利要求2所述的像素结构，其中所述开关的该栅极形成于所述基板上，且所述开关的所述源极和所述漏极形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。

4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述开关还包含一半导体层，形成于所述源极和所述漏极与所述第一绝缘层之间。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述半导体层包含一形成于所述第一绝缘层之上的通道层，和一形成于所述通道层之上的欧姆接触层。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述通道层以非晶硅制成，且其中所述欧姆接触层以N+掺杂或以化学气相沉积的半导体制成。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述开关包含一薄膜晶体管。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述遮蔽电极的所述第二部份适合以遮蔽由所述数据线所产生的电场。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述遮蔽电极以不透明的导电性材料制成。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极为梳状电极。

11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极以透明的导电性材料制成。

12.一种液晶显示器，其特征在于，所述液晶显示器包含复数个以矩阵方式排列的如权利要求1所述的像素结构。

13.一种制造像素结构的方法，其特征在于，所述方法包含下列步骤：

(a)提供一基板；

(b)形成一扫描线和一栅极于所述基板上，其中所述栅极电性连接至所述扫描线；

(c)形成一第一绝缘层于所述基板上，覆盖所述扫描线和所述栅极；

(d)形成一半导体层于所述第一绝缘层之上，其中所述半导体层与所述栅极部分重迭；

(e)分别形成一源极和一漏极于所述半导体层之上，和形成一数据线于所述第一绝缘层之上，其中所述源极电性连接至所述数据线，且其中所述栅极、所述半导体层、所述源极和所述漏极定义出一开关；

(f)形成一第二绝缘层在所述第一绝缘层之上，覆盖所述数据线和所述开关；

(g)形成一遮蔽电极于所述第二绝缘层之上，其中所述遮蔽电极有一第一部份与所述开关部分重迭，和一延伸自所述第一部份的第二部份，与所述数据线部分重迭；

(h)形成一第三绝缘层在所述第二绝缘层之上，以覆盖所述遮蔽电极；及

(i)形成一像素电极于所述第三绝缘层之上，其中所述像素电极具有一第一部份，与所述遮蔽电极的第一部份重迭，以定义一储存电容器于其间，以及一延伸自所述第一部份的第二部份，其中所述像素电极的第二部份未与所述遮蔽电极的第二部份重迭，

其中所述开关的所述源极和所述漏极分别电性连接至所述数据线和所述像素电极。