[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包含：

提供一基材；

形成至少一栅极结构于该基材上；

形成多个掺杂区域于该基材中；

形成一蚀刻停止层于该基材上；

移除该蚀刻停止层的一第一部分，其中该蚀刻停止层的一第二部分仍保留在所述多个掺杂区域上；

形成一硬掩模层于该基材上；

移除该硬掩模层的一第一部分，其中该硬掩模层的一第二部分仍保留在该至少一栅极结构上；以及

形成一第一接触点由硬掩模层的该第二部分贯穿至该至少一栅极结构及一第二接触点由该蚀刻停止层的该第二部分贯穿至所述多个掺杂区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该硬掩模层于该基材上包含沉积一材料，该材料择自于下列组成的群组：氮化硅、氮氧化硅、非晶碳材、碳化硅及前述的组合。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该蚀刻停止层于该基材上包含沉积一材料，该材料择自于下列组成的群组：氮化硅、氮氧化硅、非晶碳材、碳化硅及前述的组合。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包含：

形成一第一层间介电层于该蚀刻停止层上；

进行一化学机械研磨工艺以暴露该至少一栅极结构；

将该至少一栅极结构的一虚置栅极替换为一金属栅极；及

形成一第二层间介电层于该第一层间介电层上。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中形成该第一接触点由该硬掩模层的该第二部分贯穿至该至少一栅极结构及该第二接触点由该蚀刻停止层的该第二部分贯穿至所述多个掺杂区域，包含：

进行一第一蚀刻工艺及一第二蚀刻工艺以形成接触开口；

沉积一导电材料于该接触开口中。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中该第一蚀刻工艺进行包含蚀刻该第一层间介电层及该第二层间介电层直至到达该硬掩模层及该蚀刻停止层的该第二部分。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中该第一蚀刻工艺包含对于接触停止层/该硬掩模层与该层间介电层具有蚀刻选择性。

8.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中该第二蚀刻工艺，包含：

蚀刻贯穿该蚀刻停止层的第二部分直至暴露出所述多个掺杂区域的一硅化物元件；及

蚀刻贯穿该硬掩模层的该第二部分直至暴露出该金属栅极。

9.一种半导体装置的制造方法，包含：

提供一基材；

形成至少一栅极结构于该基材上，其中该至少一栅极结构包含一虚置栅极；

形成一蚀刻停止层于该基材上，包含在该至少一栅极结构上；

形成一第一层间介电层于该蚀刻停止层上；

在该第一层间介电层及该蚀刻停止层上进行一化学机械研磨工艺直至暴露出该至少一栅极结构的一顶部部分；

替换该至少一栅极结构的该虚置栅极；

形成一硬掩模层于该至少一栅极结构的该顶部部分上；

形成一第二层间介电层于该第一层间介电层上，包含在该硬掩模层上；以及

形成一或多个接触开口至该至少一栅极结构及该基材。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中对该至少一栅极结构及该基材形成一或多个接触开口，包含：

移除部分的该第一及该第二层间介电层以形成一或多个第一接触开口，其中该一或多个第一接触开口暴露出部分的该蚀刻停止层及该硬掩模层；

移除该蚀刻停止层及该硬掩模层的暴露部分以形成一或多个第二接触开口，其中该一或多个第二接触开口暴露出该栅极结构及该基材的一顶部部分；及

形成一导体层于该第一及第二接触开口中以对形成接触点至该基材及该栅极结构。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中该第一及该第二层间介电层包含一氧化物材料，且其中该蚀刻停止层及该硬掩模层包含一氮化硅材料；及

其中移除该第一及第二层间介电层以形成该第一接触开口包含利用一对于该氧化物材料及该氮化硅具有蚀刻选择性的蚀刻工艺。

12.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻停止层及该硬掩模层包含一大致相同的厚度。