[发明专利]一种有效降低封装热阻大功率LED灯无效
| 申请号： | 200910210879.1 | 申请日： | 2009-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101696779A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 刘薇 | 申请（专利权）人： | 东莞勤上光电股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V19/00;F21V29/00;H01L23/36;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 523565 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有效 降低 封装 大功率 led | ||
【权利要求书】：
1.一种有效降低封装热阻大功率LED灯，包括金属基座(1)和封装在金属基座(1)上的了的LED芯片(2)以及金属导线(4)、封装胶体(5)，其特征在于：金属基座(1)与LED芯片(2)之间设有用于缓冲LED芯片与金属基座之间的热错配应力的热沉缓冲层(3)。
2.根据权利要求1所述的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，其特征在于：所述热沉缓冲层(3)为电镀设置于金属基座(1)上的FeNi合金层。
3.根据权利要求2所述的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，其特征在于：所述FeNi合金层厚度为2-5微米。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，其特征在于，LED芯片(2)与热沉缓冲层(3)采用共晶焊接的方式连接。
5.根据权利要求2或3所述的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，其特征在于：FeNi合金层含有36％的Ni。
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