[发明专利]闪存的存取装置及其存取方法有效

专利信息
申请号: 200910210322.8 申请日: 2009-10-30
公开(公告)号: CN102054521A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 林火元;陈振顺 申请(专利权)人: 技嘉科技股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G06F1/16
代理公司: 北京挺立专利事务所 11265 代理人: 叶树明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 闪存 存取 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种闪存存取装置,其特征在于包括:

一内存控制器;

一第一开放式与非门闪存介面(Open NAND Flash Interface,ONFI),耦接所述内存控制器,用来连接一主要闪存模块;以及

一扩充闪存模块,耦接所述内存控制器及所述第一开放式与非门闪存介面;

其中,所述内存控制器侦测所述第一开放式与非门闪存介面所连接的所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块为单面或是双面来获得一侦测结果,并依据所述侦测结果来设定所述扩充闪存模块及所述主要闪存模块的存取方式。

2.按照权利要求1所述的闪存存取装置,其特征在于当所述内存控制器侦测所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块均为单面时,所述内存控制器连结所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块成为一双信道闪存模块。

3.按照权利要求1所述的闪存存取装置,其特征在于当所述内存控制器侦测所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块均为双面时,所述内存控制器设定所述扩充闪存模块及所述主要闪存模块的其中之一为一工作内存,并设定所述扩充闪存模块及所述主要闪存模块的另一为一备用内存。

4.按照权利要求3所述的闪存存取装置,其特征在于所述内存控制器更禁能所述备用内存的存取。

5.按照权利要求3所述的闪存存取装置,其特征在于所述内存控制器更包括侦测所述工作内存的读取或写入的正常与否。

6.按照权利要求3所述的闪存存取装置,其特征在于当所述内存控制器侦测所述工作内存的读取或写入不正常时,所述内存控制器禁能所述主要内存的存取,并切换所述备用内存为所述主要内存。

7.按照权利要求1所述的闪存存取装置,其特征在于更包括:

一扩充闪存介面,耦接所述内存控制器及所述第一开放式与非门闪存介面,用来连接所述扩充闪存模块。

8.按照权利要求7所述的闪存存取装置,其特征在于所述内存控制器、所述第一开放式与非门闪存介面及所述扩充闪存介面配置在一主机板上,且所述扩充闪存接口为一第二开放式与非门闪存介面。

9.按照权利要求1所述的闪存存取装置,其特征在于所述扩充闪存模块直接配置在一主机板上,且所述内存控制器以及所述第一与非门闪存介面配置在所述主机板上。

10.一种闪存存取方法,其特征在于包括:

提供一第一开放式与非门闪存介面(Open NAND Flash Interface,ONFI)以连接一主要闪存模块;

提供一扩充闪存模块;

侦测所述第一开放式与非门闪存介面所连接的所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块为单面或是双面来获得一侦测结果;以及

依据所述侦测结果来设定所述扩充闪存模块及所述主要闪存模块的存取方式。

11.按照权利要求10所述的闪存存取方法,其特征在于所述侦测结果包括:

所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块均为单面或所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块均为双面。

12.按照权利要求11所述的闪存存取方法,其特征在于“依据所述侦测结果来设定所述扩充闪存模块及所述主要闪存模块的存取方式”的步骤包括:

当所述侦测结果为所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块均为单面时,所述内存控制器连结所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块成为一双信道闪存模块。

13.按照权利要求12所述的闪存存取方法,其特征在于“依据所述侦测结果来设定所述扩充闪存模块及所述主要闪存模块的存取方式”的步骤更包括:

当所述侦测结果为所述主要闪存模块及所述扩充闪存模块均为双面时,所述内存控制器设定所述扩充闪存模块及所述主要闪存模块的其中之一为一工作内存,并设定所述扩充闪存模块及所述主要闪存模块的另一为一备用内存。

14.按照权利要求13所述的闪存存取方法,其特征在于更包括:

侦测所述工作内存的读取或写入的正常与否。

15.按照权利要求14所述的闪存存取方法,其特征在于更包括:

当所述内存控制器侦测所述工作内存的读取或写入不正常时,所述内存控制器禁能所述主要内存的存取,并切换所述备用内存为所述主要内存。

16.按照权利要求10所述的闪存存取方法,其特征在于更包括:

提供一扩充闪存介面来连接所述扩充闪存模块。

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